Турғунов Муслимжон Омонбоевичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Металл-шиша-яримўтказгич структураларни релаксацион хоссаларига температура, босим ва ултратовуш таъсири” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2022.1.PhD/FM697
Илмий раҳбар: Маматкаримов Одилжон Охундадаевич, физика-математика фанлари доктори., Профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти ҳамда Наманган давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM/Т.15.05.
Расмий оппонентлар: Йўлчиев Шахриёр Хусанович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салимжон Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети..    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади. КЕФ-5 маркали <101> кристалл йўналишга эга н-типли кремний (Си) сиртига ПбО–СиО₂–Б₂О₃–Ал₂О₃–Та₂О₅ таркибли шиша қатлами қоплаш орқали ҳосил қилинган металл–шиша–яримўтказгич структураларнинг чегара соҳаларида содир бўладиган физик жараёнларга температура, босим ва ултратовуш таъсирини тадқиқ этиш ҳамда ушбу омиллар таъсирида ток ташувчиларнинг ўтиш механизмларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: металл (Ал), шиша ва яримўтказгич (КЕФ-5 маркали, <101> кристалл йўналишли н-типли кремний) асосидаги металл–шиша–яримўтказгич структураларни шакллантириш жараёнида шиша композициясининг СиО₂ – 46 %, ПбО – 35 %, Б₂О₃ – 15 %, Ал₂О₃ – 3 %, Та₂О₅ – 1 % нисбатдаги таркиби бошқа ўрганилган композицияларга нисбатан яримўтказгич–шиша чегарасидаги локал электрон ҳолатларининг интеграл зичлигини минимал қийматларгача камайтиришни таъминловчи оптимал таркиб эканлиги аниқланган;
металл–шиша–яримўтказгич структураларда Т = −17 °C температура ва 150 кҲз частота шароитида сиғимнинг вақт бўйича релаксация жараёни тажрибада ўрганилиб, унинг характерли релаксация вақти τ ≈ (8–12) с оралиқда эканлиги аниқланган;
илк бор, металл–шиша–яримўтказгич структураларга П = 4–7 кБар гидростатик босим таъсири натижасида сирт ҳолатлар зичлигининг камайиши кузатилиб, бунинг натижасида сирт генерация тезлиги С ≈ (1,7–2,0)·10⁵ см⁻²·с⁻¹ дан С ≈ (1,0–1,2)·10⁵ см⁻²·с⁻¹ гача камайиши аниқланган;
термик ишлов жараёнида Эc − 0,78 эВ энергия яқинида локал максимум кузатилиб, ушбу энергетик сатҳларнинг Си–шиша интерфейсида жойлашган киришма марказлари билан боғлиқ интерфейс ҳолатларига мос келиши аниқланган;
Ал-н-Си – шиша – Ал структураларга ултратовуш таʼсири берилганда яримўтказгич шиша чегара соҳасида локаллашган электрон ҳолатлари интеграл зичлигини камайиши ва яримўтказгичдаги ҳажмий электрон ҳолатлари энергетик спектри ўзгармай қолиши тажриба ёрдамида аниқланди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Металл-шиша-яримўтказгичли структураларга температура, босим, термик ишлов ва ултратовуш таъсири билан ишлов бериши  бўйича олинган натижалар асосида:
металл-шиша-яримўтказгичли структураларга температура, босим, термик ишлов ва ултратовуш таъсири билан ишлов бериш натижалари Малайзиянинг “Малайзия Путра университети” да ижобий характеристикага эга металл-шиша-яримўтказгич асосидаги қурилмалар тайёрлашда жорий қилинган. (Малайзия Путра университети УПМ/CФС/2025/02 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши Ал–н–Си–шиша–Ал структураларида яримўтказгич–шиша чегарасидаги локал электрон ҳолатлар зичлигини камайтириш  имконини берган;
Ал-н-Си–шиша–Ал структураларга ултратовуш, босим, протон нурланиши, имплантация таъсирларида ўзгариши учун олинган натижалардан «ФОТОН» аксионерлик жамиятида яримўтказгичли диодлар ва транзисторлар ишлаб чиқаришда жорий қилинган. (Фотон" Акциядорлик жамиятининг 2025 йил 22-апрелдаги 04-сонли маʼлумотномаси). Диссертацияда олинган натижаларни технологик жараёнга қўлланилиб, тезкорлиги юқори бўлган транзисторларни ишлаб чиқариш ва назорат қилиш имконини берган.