Turg‘unov Muslimjon Omonboevichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Metall-shisha-yarimo‘tkazgich strukturalarni relaksatsion xossalariga temperatura, bosim va ultratovush ta’siri” 01.04.10–“Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2022.1.PhD/FM697
Ilmiy rahbar: Mamatkarimov Odiljon Oxundadaevich, fizika-matematika fanlari doktori., Professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti hamda Namangan davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan davlat texnika universiteti, PhD.03/2025.27.12.FM/T.15.05.
Rasmiy opponentlar: Yo‘lchiev Shaxriyor Xusanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salimjon Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti..    
Dissertatsiya yo‘nalishi: ilmiy amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi. KEF-5 markali <101> kristall yo‘nalishga ega n-tipli kremniy (Si) sirtiga PbO–SiO₂–B₂O₃–Al₂O₃–Ta₂O₅ tarkibli shisha qatlami qoplash orqali hosil qilingan metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalarning chegara sohalarida sodir bo‘ladigan fizik jarayonlarga temperatura, bosim va ultratovush ta’sirini tadqiq etish hamda ushbu omillar ta’sirida tok tashuvchilarning o‘tish mexanizmlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: metall (Al), shisha va yarimo‘tkazgich (KEF-5 markali, <101> kristall yo‘nalishli n-tipli kremniy) asosidagi metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalarni shakllantirish jarayonida shisha kompozisiyasining SiO₂ – 46 %, PbO – 35 %, B₂O₃ – 15 %, Al₂O₃ – 3 %, Ta₂O₅ – 1 % nisbatdagi tarkibi boshqa o‘rganilgan kompozisiyalarga nisbatan yarimo‘tkazgich–shisha chegarasidagi lokal elektron holatlarining integral zichligini minimal qiymatlargacha kamaytirishni ta’minlovchi optimal tarkib ekanligi aniqlangan;
metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalarda T = −17 °C temperatura va 150 kHz chastota sharoitida sig‘imning vaqt bo‘yicha relaksatsiya jarayoni tajribada o‘rganilib, uning xarakterli relaksatsiya vaqti τ ≈ (8–12) s oraliqda ekanligi aniqlangan;
ilk bor, metall–shisha–yarimo‘tkazgich strukturalarga P = 4–7 kBar gidrostatik bosim ta’siri natijasida sirt holatlar zichligining kamayishi kuzatilib, buning natijasida sirt generatsiya tezligi S ≈ (1,7–2,0)·10⁵ sm⁻²·s⁻¹ dan S ≈ (1,0–1,2)·10⁵ sm⁻²·s⁻¹ gacha kamayishi aniqlangan;
termik ishlov jarayonida Ec − 0,78 eV energiya yaqinida lokal maksimum kuzatilib, ushbu energetik sathlarning Si–shisha interfeysida joylashgan kirishma markazlari bilan bog‘liq interfeys holatlariga mos kelishi aniqlangan;
Al-n-Si – shisha – Al strukturalarga ultratovush taʼsiri berilganda yarimo‘tkazgich shisha chegara sohasida lokallashgan elektron holatlari integral zichligini kamayishi va yarimo‘tkazgichdagi hajmiy elektron holatlari energetik spektri o‘zgarmay qolishi tajriba yordamida aniqlandi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Metall-shisha-yarimo‘tkazgichli strukturalarga temperatura, bosim, termik ishlov va ultratovush ta’siri bilan ishlov berishi  bo‘yicha olingan natijalar asosida:
metall-shisha-yarimo‘tkazgichli strukturalarga temperatura, bosim, termik ishlov va ultratovush ta’siri bilan ishlov berish natijalari Malayziyaning “Malayziya Putra universiteti” da ijobiy xarakteristikaga ega metall-shisha-yarimo‘tkazgich asosidagi qurilmalar tayyorlashda joriy qilingan. (Malayziya Putra universiteti UPM/CFS/2025/02 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi Al–n–Si–shisha–Al strukturalarida yarimo‘tkazgich–shisha chegarasidagi lokal elektron holatlar zichligini kamaytirish  imkonini bergan;
Al-n-Si–shisha–Al strukturalarga ultratovush, bosim, proton nurlanishi, implantatsiya ta’sirlarida o‘zgarishi uchun olingan natijalardan «FOTON» aksionerlik jamiyatida yarimo‘tkazgichli diodlar va tranzistorlar ishlab chiqarishda joriy qilingan. (Foton" Aksiyadorlik jamiyatining 2025 yil 22-apreldagi 04-sonli maʼlumotnomasi). Dissertatsiyada olingan natijalarni texnologik jarayonga qo‘llanilib, tezkorligi yuqori bo‘lgan tranzistorlarni ishlab chiqarish va nazorat qilish imkonini bergan.