Isaqov Diyorbek Ziyodullo o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishmali yupqa qatlamlarining mikrostrukturaviy, optik va elektrofizik xossalari” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.3.PhD/FM694
Ilmiy rahbar: Razikov Taxirdjon Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi S.A. Azimov nomidagi Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.05/2025.28.11.FM/T.01.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Yodgorova Dilbar Mustafaevna, texnika fanlari doktori, prof; Zikrillaev Nurillo Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi atmosfera bosimida shisha tagliklarda yuqori sifatli Sb2(Sx,Se1-x)3 qattiq qorishma yupqa qatlamlarini olish va fizik xossalarini kompleks tadqiq qilish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor atmosfera bosimida Sb2Se3 va Sb2S3 binar birikmalaridan hamda Sb, S, Se elementlardan keng tarkibli oraliqda (0 x 1) yuqori sifatli Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishma yupqa qatlamlarni olishning vakuumsiz texnologiyasi yaratilgan;
birinchi marta skanerlovchi elektron mikroskopiya tahlillari asosida, atmosfera bosimida o‘stirilgan Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishmali yupqa qatlamlarning tarkibidagi x ning 0.03 dan 0.35 gacha ortishi natijasida donachalarning uzunligi 10 μm dan 4 μm gacha qisqarishi, diametri esa 0.5 μm dan 4 μm gacha ortishi aniqlangan;
rentgen nurlanish difraksiyasi va raman spektroskopiyasi natijalarining tahlili yordamida, olingan Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarning tarkibida oltingugurtning miqdori ortishi bilan rengenogrammada asosiy kristallanish yoʻnalishlari (211) va (221) ning 2θ burchaklari Sb2Se3 dan Sb2S3 ga tomon siljishi hamda raman spektrlarida Sb-Se tebranish fazalariga mos 110 cm-1 va 151 cm-1 cho‘qqilarning intensivligi kamayib, Sb–S bog‘larining tebranish fazalariga mos 280 cm-1 va 310 cm-1 cho‘qqilarning intensivligi ortib borishi aniqlangan;
Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarining taqiqlangan soha kengligi 1.12 eV dan 1.5 eV gacha oshishi bilan spektral yutilish chegarasining uzun to‘lqin uzunliklaridan qisqa to‘lqin uzunliklari tomonga siljishi kuzatilgan;
turli tarkibda o‘stirilgan Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarning barchasi p-tip o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lib, x ning 0.03 dan 0.35 gacha ortishi bilan ularning elektr o‘tkazuvchanligi 2.3×10-5 dan 3.4×10-6 (Ω·cm)-1 gacha kamayishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishma yupqa qatlamlarining mikrostrukturaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq etish asosida olingan ilmiy natijalar bir qator xalqaro ilmiy ishlarda samarali qo‘llanilgan. Jumladan, Sb2Se3 yupqa qatlamlarining optik xususiyatlari bo‘yicha olingan natijalar “CuCrO2 yupqa qatlamlarining optik xossalariga polivinilpirrolidon konsentratsiyasining ta’siri” mavzusidagi tadqiqotda foydalanilgan (Thin Solid Films, Vol. 797 (2024), 140334). Ushbu ish natijalariga ko‘ra, CuCrO2 yupqa qatlamlarining yuqori yorug‘lik o‘tkazuvchanlik potensiali ularni kelgusida fotovoltaik tizimlar, tranzistorlar hamda sensorli ekran va displey texnologiyalarida qo‘llash imkoniyatini yaratgan. Shuningdek, yupqa qatlamli quyosh elementlari uchun kimyoviy molekulalar dastalaridan olish usuli yordamida olingan Sb2Se3 yupqa qatlamlarning xossalarini o‘rganish natijalari “Fotosensor qurilmalarda qo‘llash uchun Bi35Sb5Se60 nanostrukturali yupqa qatlamlarning strukturaviy va optik yutilish xossalari” mavzusidagi ishni tahlil qilishda qo‘llanilgan (Optical Materials, Vol. 157 (2024) 116098). Natijalar Bi35Sb5Se60 materialining to‘g‘ridan-to‘g‘ri taqiqlangan sohaga ega ekanligi, yuqori fotosezgirligi hamda nuqsonlarga bog‘liq nurlanish xususiyatlari uni fotosensor qurilmalarda qo‘llash uchun istiqbolli ekanligini ko‘rsatgan.
Bundan tashqari, dissertatsiya ishida Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarini olish uchun ishlab chiqilgan kimyoviy molekulalar dastalaridan olish texnologiyasiga oid ilmiy-ma’lumotlar “Elliptik metamateriallarni o‘z ichiga olgan bir o‘lchamli fotonik kristall asosida sozlanadigan, keng burchakli va yuqori samarali polarizatsiya selektivligi” mavzusidagi tadqiqotda qo‘llanilgan (Physics Letters A, Vol. 494 (2024) 129299). Mazkur ish natijalari sozlanadigan va yuqori samaradorlikka ega polarizatorlarni loyihalash uchun amaliy hamda istiqbolli texnologik echim taklif etgan. Shuningdek, Sb2Se3 yupqa qatlamlarining optik xususiyatlarini tadqiq etish asosida olingan natijalar Meksikaning Chiapas Fan va San’atlar Universitetida himoya qilingan yarimo‘tkazgichlar fani va texnologiyasi yo‘nalishidagi “Fotoelektrokimyoviy va fotoelektr qurilmalarda qo‘llash uchun Cu va Sb xalkogenidlarining yupqa qatlamlarini elektrodepozisiya qilish jarayonini o‘rganish” nomli dissertatsiyada Sb2Se3 yupqa qatlamlarning optik xossalarini tahlil qilishda foydalanilgan (Semiconductor Science and Technology. 2024. T. 40. №. 5. S. 055001).
Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishma yupqa qatlamalarni olish qurilmasi uchun “Yupqa qatlamli quyosh elementlari olish uchun reaktor” nomli sanoat namunasiga patent (№ SAP 2577) olingan. Mazkur patent asosida hozirgi kunda quyosh elementlari, termoelektrik qurilmalar, yuqori aniqlikdagi sensorlar, fotodetektorlarni tayyorlashda qo‘llaniladigan arzon va yuqori sifatli xalkogenidli yarimo‘tkazgichlar negizida bir va ko‘p komponentli yupqa qatlamlarini sintez qilish imkoni yaratilgan. Shuningdek, ushbu qurilma Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot institutining “Mikroelektronika va elektrotexnika materialshunosligi” laboratoriyasiga o‘rnatilib, amaliyotga joriy etilgan.
