Abdullaev Jo‘shqin Shakirovichning
bo‘yicha falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): 
“Baza sohasi kambag‘allashgan yarimo‘tkazgichli strukturalarni modellashtirish xususiyatlari” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.1.PhD/FM849
Ilmiy rahbar: Abdulxaev Oybek Abdullazizovich, fizika-matematika fanlari falsafa doktori (PhD), katta ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi S.A. Azimov nomidagi Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Yusupov Ahmad, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Quchqorov Qudratillo Mamarasulovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq Davlat Universiteti.     
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi Si hamda GaAs asosida baza sohasi kambag‘allashgan radial p-n va p-i-n o‘tishli strukturalarning elektrofizik xususiyatlarini aniqlashdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor silindrik sanoq sistemasida p–n va p–i–n o‘tishli strukturalar uchun puasson tenglamasi kirishma atomlarining to‘liq ionlanmagan holatlarni inobatga olgan holda analitik echilib, 300 K temperaturada Si uchun elektr maydonning maksimal qiymati 5.1×10⁴ V/cm, GaAs uchun esa 6.3×10⁴ V/cm ekanligi aniqlangan;
keng temperatura sharoitlarida kirishma atomlarining ionlanmagan holatlarini inobatga oluvchi analitik ifodalar ishlab chiqilib, yarimo‘tkazgich materiallarida kirishma atomlarining ionlashish darajasi aniqlangani, xususan Si uchun B atomlarining ionlashish darajasi 300 K temperaturada  96,8%, P atomlari uchun 98,4%, GaAs uchun esa Zn atomlari 97,6% hamda Si atomlari 96,2% ekanligi ko‘rsatilgan;
ilk bor baza sohasi kambag‘allashgan p–n o‘tishli strukturalar uchun maxsus fizik model ishlab chiqilib,  ushbu model asosida teshilish elektr maydoni aniqlanib, 100–400 K temperatura oralig‘ida GaAs uchun determinatsiya koeffisienti R² = 0,9862, Si uchun esa R² = 0,9978 ga tengligi ko‘rsatilgan;
TCAD Sentaurus dasturi yordamida radial p–n va p–i–n strukturalarning volt-farad (C–V) va volt-amper (I–V) xarakteristikalari modellashtirilib,  i-qatlam qalinligi 0.1–0.5 µm diapazonda o‘zgartirilganda rekombinatsiya tezligi GaAs materialida Si materialiga nisbatan 2–3 baravar yuqori ekanligi isbotlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
P–n va p–i–n strukturalarining elektrofizik xususiyatlariga legirlanish darajasi va temperatura ta’sirini optimallashtirish bo‘yicha olingan natijalar Nazarboev Universitetining Astana Milliy Laboratoriyasida qo‘llanilgan (Nazarboev Universitetining Astana Milliy Laboratoriyasining 2025-yil 2-apreldagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish issiq devorli kimyoviy bug‘ fazasidan cho‘ktirish usulida sintez qilingan GaN yarimo‘tkazgich materialli bo‘yoq bilan sezgirlashtirilgan quyosh elementlarining samaradorligini oshirish imkonini bergan.
TCAD Sentaurus dasturida yarimo‘tkazgichli radial p–n va p–i–n o‘tishli strukturalarning elektrofizik xususiyatlarini modellashtirish natijalari Toshkent irrigatsiya va qishloq xo‘jaligini mexanizatsiyalash muhandislari instituti Milliy tadqiqot universitetida qo‘llanilgan (Toshkent irrigatsiya va qishloq xo‘jaligini mexanizatsiyalash muhandislari instituti Milliy tadqiqot universitetining 2025-yil 17-maydagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Materialshunoslik va yangi materiallar texnologiyasi yo‘nalishidagi mutaxassislik fanlarini o‘qitish jarayonlarini sifatini oshirish imkonini bergan.