Эргашев Билолиддин Миршарибжон ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Пт ва Ни киришма атомларининг кремний кристаллидаги ҳолатлари ва уларнинг ўзаро таъсирлашув жараёнларини тадқиқ этиш” 01.04.10 – “Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2025.1.PhD/FM1268
Илмий раҳбар:, Зайнабидинов Сиражидин Зайнабидинович физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04 рақамли илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Гулямов Гафуржон, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салим Мадраҳимович, физика-математика фанлари доктори, профессор;
Етакчи ташкилот: Қарши давлат университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: кремний намуналарида Пт ва Ни атомларининг кристалл панжарадаги ҳолатларини, уларнинг ўзаро таъсир механизмларини ҳамда диффузия жараёнларида юзага келадиган нуқсонларнинг табиатини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: 
илк бор 950÷1150°C да иссиқлик ишлови берилган н-Си намуналарида кислород-кремний бирикмалари туфайли нанокристаллитлар, п-Си да эса аморф кластерлар ҳосил бўлиши рентгенодифракция ва раман спекроскопия усуллари ёрдамида  аниқланган;
950÷1150°C да иссиқлик ишловидан сўнг п-Си<Б> ва п-Си<Б,Пт> намуналарида панжара доимийси, субкристаллит ва кристаллит ўлчамларининг ортиши ҳисобига юзага келувчи ички кучланишлар таъсирида 60÷75 нм ли нанотузилмалар шаклланиши раман спекроскопия усули ёрдамида аниқланган;
1250°C да иссиқлик ишлови натижасида н-Си<Р,Ни> намуналарида СиО₂ (25 нм), Б₂О₃ (55 нм) ва СиНи₃ (27,4 нм) кристаллитлари ҳамда 2 нм ли СиОх аморф қатламлар шаклланиши рентгенодифракция усули ёрдамида аниқланган; 
п-Си<Б> ва п-Си<Б,Пт> намуналарига 950÷1150 °C ли иссиқлик ишловлари берилиши натижасида Б ва Пт киришма атомлари кластерлар ва нейтрал нуқсонлар ҳосил қилиши туфайли ток тшувчилар ҳаракатчанлигининг ўзгариши Ван-дер-Пау усули ёрдамида аниқланган; 
300–900°C ҳароратли иссиқлик ишловлари берилган кремнийда кислород ва углерод атомларининг Пт, Ни ва П легирловчи элементлар билан ўзаро таъсирлашуви туфайли инфрақиизил фаол марказлар шаклланиши оптик спектроскопия усули ёрдамида аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
кремний намуналарида Пт ва Ни атомларининг кристалл панжарадаги ҳолатларини, уларнинг ўзаро таъсир механизмларини ҳамда диффузия жараёнларида юзага келадиган нуқсонларнинг табиатини ўрганиш бўйича олинган натижалар асосида:
950°C, 1050°C ва 1150°C ҳароратларда Пт атомлари киритилган монокристалл кремний намуаналарининг панжара доимийлари (аСи,(950°C) = 0,5337 нм, аСи,(1050°C) = 0,5343 нм ва аСи,(1150°C) = 0,5349 нм) камайишини, Пт атомларининг миқдори ҳарорат ортиши билан кремний панжарасида бир хил миқдорда тақсимланиши натижасида кристалл панжарадаги нуқсонлар камайиб, субкристаллитларнинг ўлчамлари (59,6 нм, 60,4 нм ва 61,1 нм) ортишини ҳамда 950°C, 1050°C ва 1150°C ҳароратларда иссиқлик ишловлари берилган монокристалл п-Си<Б> намуналарининг сиртий соҳаларида кремний ва кислород атомлари ўзаро тўйинмаган (СиОх) богʻлари туфайли 2 нм, 1,6 нм ва 1,7 нм ўлчамли кластерлар шаклланишини, шунингдек, уларнинг Пт атомлари киритилган ҳолда эса қисман тартибланишини аниқлаш усулларидан “ФОТОН” АЖ да ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли электрон қурилмалар тайёрлашда фойдаланилган (“ФОТОН” аксионерлик жамиятининг 2025-йил 17 августдаги 46-сон маълумотномаси). Натижада тажриба намуналарида электрон техника асбоблари тайёрлаш ҳамда уларнинг электрофизик ва оптик хоссаларини яхшилаш имконияти яратилган.
    200–300 К да п-Си<Б> намуналарида ҳаракатчанлик кўрсаткичи Пт киритилишидан олдин м = 0,4 бўлиб, киритилгандан сўнг м = 0,6 гача ортиши, 300–450 К да п-Си<Б> ва п-Си<Б,Пт> намуналарида м = 0,2 гача камайиши, 1050 °C да 5 соатлик иссиқлик ишловидан сўнг п-Си<Б> да м = 2,6 гача кескин ошиши ҳамда 1150 °C да Пт киритилган п-Си<Б> да (200–450 К оралиғида) м = 0,6 гача камайиши каби илмий натижалардан “ФОТОН” АЖ да ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли электрон қурилмалар тайёрлашда фойдаланилган (“ФОТОН” аксионерлик жамиятининг 2025-йил 17 августдаги 46-сон маълумотномаси). Натижада тажриба намуналарида электрон техника асбоблари тайёрлаш ҳамда ушбу йўналишда олиб борилаётган тадқиқотлар асосида турли соҳаларда юзага келадиган ҳажмий нуқсонларни камайтириш имконияти яратилган.