Гаймназаров Қурбон Гулмурадовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Суюқ фазали эпитакция усулида ўстирилган (ГаАс)1-з(ЗнСе)з қаттиқ қоришмасининг электрофизик ва фотоелектрик хоссалари” 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.2.PhD/FM259 
Илмий раҳбар: Усмонов Шукрулло Негматович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Мамадалимов Абдуғафур Тешабоевич, академик, физика-математика фанлари доктори; Раджапов Сали Аширович, техника фанлари доктори, кат.илм.ходим.
Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади ГаАс тагликларида (ГаАс)1-з(ЗнСе)з ўрин алмашувчи қаттиқ қоришма қатламларини қалайли ва қўрғошинли эритмалардан олишнинг суюқ фазали эпитакцияси технологиясини ишлаб чиқиш ва уларнинг структуравий, электрофизик ва фотоелектрик хусусиятларини  ўрганишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
панжара доимийси 5.6543 Å, йўналиши (100) бўлган монокристалл структурага эга (ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.8) қаттиқ қоришмаларини ГаАс(100) тагликларига Сн эритмасидан 700-650 °С ва Пб дан 860-760 °C температуралар оралиғида 1 °С/мин тезликда совутиш орқали ўстириш технологик режими ишлаб чиқилган;
илк бор Сн эритмасидан ўстирилган (ГаАс)1-з(ЗнСе)з қаттиқ қоришмалари ковакли, Пб дан ўстирилганлари эса электронли турдаги ўтказувчанликка эга эканлиги ва улар мос равишда хона температурасида ~0.2 ва ~0.3∙10-3 ∙cм солиштирма қаршиликга эга бўлиши кўрсатилган;
таркибида ЗнСе миқдори кўп бўлган (ГаАс)1-з(ЗнСе)з (з  0.8) қаттиқ қоришмасининг қоронғуликдаги ўтказувчанлиги фаоллашув характерига эгалиги ва фаоллашув энергияси ~0.31 эВ га тенг эканлиги турли ҳароратлардаги нГаАс–п(ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.80) гетероструктурасининг электрофизик хоссаларини ўрганиш орқали аниқланган;
300-413 К температуралар оралиғида п(ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.8) қаттиқ қоришмасида заряд ташувчиларнинг сочилиши асосан кристалл панжара атомларининг иссиқлик тебранишлари ҳисобига содир бўлиши аниқланган;
нГаАс–п(ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.80) гетероструктурасининг фотосезгирлик оралиғи 300 К да фотонлар энергиясининг 1.18 дан 1.88 эВ гача, 77 К да эса 1.2 дан 2.8 эВ гача бўлган оралиғини қамраб олиш хусусияти аниқланган;
Сн эритмасидан ўстирилган (ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.80) қаттиқ қоришмаси эпитаксиал қатлами сиртида асосининг диаметри 80 нм дан 300 нм гача ва баландлиги 6 нм дан 18 нм гача бўлган тартибли жойлашган наноўлчамли бўртиклар қаторининг ҳосил бўлиши, ҳамда эпитаксиал қатлам сиртининг силлиқ қисмидаги ғадир-будурлик ўлчами ~1 нм дан ошмаслиги эпитаксиал қатлам сиртини атом кучи микроскопида олинган натижалари кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
(ГаАс)1-з(ЗнСе)з қаттиқ қоришма суюқ фазали эпитакциясининг физик-технологик хусусиятларини, уларнинг структуравий ва электрофизик хоссаларини, шунингдек улар асосидаги п-н- структураларида ток ўтиш механизмларини ўрганишдан олинган натижалар асосида:
~ 0.31 эВ фаоллашув энергиясига эга бўлган (ГаАс)1-з(ЗнСе)з (з  0.8) қаттиқ қоришмасининг қоронғуликдаги ўтказувчанлигининг фаоллашув хусусияти, ҳамда (ГаАс)1-з(ЗнСе)з (0  з  0.8) қаттиқ қоришмасида заряд ташувчиларнинг 300–413 К температуралар оралиғида сочилиши асосан кристалл панжара атомларининг иссиқлик тебранишлари ҳисобига содир бўлиши ҳақидаги хулосалар Наманган муҳандислик-қурилиш институтида бажарилган “Кучли электромагнит майдонда наноўлчамли яримўтказгичларнинг параметирларига температура, деформация ва ёруғликнинг таъсири” номли фундаментал лойиҳада фойдаланилган (асос Ўзбекистон Республикаси олий таълим, фан ва инновациялар вазирлиги ҳузуридаги Олий таълимни ривожлантириш тадқиқотлари маркази томонидан 2025-йил 21-февралдаги № 02/01-01-71 рақамли Маълумотнома). Натижалардан фойдаланиш кучли электромагнит майдонларда содир бўладиган оссиляция ҳодисаларининг температурага боғлиқлигини тушунтиришга имкон берган; 
Ўзгарувчан таркибли (ГаАс)1-з(ЗнСе)з ҚҚ эпитаксиал қатламларини Сн эритмасидан ГаАс(100) тагликларида ўстириш технологияси ишлаб чиқилган (Ўзбекистон республикаси патенти “Ўзгарувчан зонали (ГаАс)1-з(ЗнСе)з қатламларини олиш усули” ИҲ ДП № 5256, 27.07.1998 й.). Ўстирилган қаттиқ қоришма таркибига кирган Сн атомлари аксептор атом вазифасини бажариб, ковакли турдаги ўтказувчанликка эга бўлган ўзгарувчан зонали монокристалл п(ГаАс)1-з(ЗнСе)з эпитаксиал қатламларини олиш имконини берган;
Ўзгарувчан таркибли (ГаАс)1-з(ЗнСе)з қаттиқ қоришмасининг эпитаксиал қатламларини Пб эритмасидан ГаАс(100) тагликларида ўстириш технологияси ишлаб чиқилган (Ўзбекистон республикаси патенти “Ўзгарувчан зонали (ГаАс)1-з(ЗнСе)з қатламларини олиш усули” ИДП № 04776, 18.05.2001 й.). Ўстирилган қаттиқ қоришма таркибига кирган Пб атомлари донор атом вазифасини бажариб, электронли турдаги ўтказувчанликка эга бўлган ўзгарувчан зонали монокристалл н(ГаАс)1-з(ЗнСе)з эпитаксиал қатламларини олиш имконини берган.