Toshev Alisher Rakhmatullaevichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniy asosidagi quyosh elementlari parametrlariga izovalent va nodir er elementlarining ta’siri” 01.04.10–“Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2021.2.PhD/T2222 
Ilmiy rahbar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori., Professor. 
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan davlat texnika universiteti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Zaynobiddinov Sirojiddin Zaynobiddinovich, fizika-matematika fanlari doktori, O‘zR FA akademigi; Abduraxmonov Qaxxor Fataxovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor (DSc).
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston milliy universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: ilmiy amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: izovalent (Ge, Sn) va nodir er elementlari (Ho, Gd) ni qo‘shimcha legirlashning kremniy quyosh elementlari parametrlariga ta’sirini o‘rganish, optimal legirlash sharoitlarini aniqlash va quyosh elementlari barqarorligini oshirishdan iborat. 
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
kremniy namunalariga Ge atomlarini diffuziyalashdan so‘ng T=850 °C da t=3 soat davomida termal ishlov berish natijasida Si/SiGe/Si mikrogeteroo‘tishlarini hosil qiluvchi germaniy klasterlarini shakllantirish usuli ishlab chiqilgan;
germaniy va qalay bilan legirlangan kremniyda optimal legirlash konsentratsiyasi (1,5·10¹⁸÷1,5·10²⁰ sm⁻³) aniqlanib, natijasida quyosh elementlarining foydali ish koeffisienti 2,5 % ga oshishi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar yashash vaqtining sezilarli darajada uzayishi hisobiga ekanligi aniqlangan;
kremniy sirtida va hajmida GexSi1-x binar birikmalar hosil qilish orqali taqiqlangan soha kengligi boshqarilib, quyosh nurlarini yutish spektri infraqizil soha tomon kengaytirilishi natijasida FIK 1,5–2 % ga oshishi isbotlangan;
gadoliniy va golmiy kabi nodir er elementlari bilan legirlangan kremniy asosidagi quyosh elementlarining harorat (T=30÷100 °C) va yuqori radiatsiya (10⁶÷10⁹ Rad) sharoitida barqaror ishlashi ta’minlangan;
izovalent va nodir er elementlari bilan legirlangan kremniy asosidagi quyosh elementlarining samaradorligi, issiqlik va radiatsiyaga chidamliligini tushuntiruvchi yangi fizik mexanizm taklif qilingan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy asosidagi quyosh elementlari parametrlariga izovalent va nodir er elementlarining ta’sirini o‘rganish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
Ge va Sn krishmalari bilan (1,5·1018 ÷ 1,5·1020 sm-3 konsentratsiyali) kremniyni legirlashning optimal texnologik rejimidan foydalanish FOTON aksiyadorlik jamiyatida joriy etilgan. («UZELTEXSANOAT» aksiyadorlik jamiyatining 03 mart 2023 yildagi 04-3/267-son ma’lumotnomasi). Natijada, yarimo‘tkazgich monokristallar asosida ishlab chiqarilgan yarimo‘tkazgich asboblarni elektrik parametrlarini barqarorlashtirish hamda noasosiy zaryad tashuvchilarning yashash vaqtini uzaytirish imkonini bergan.
kremniy namunalariga Ge atomlarini diffuziyalashdan so‘ng T=850 °C da t=3 soat davomida termal ishlov berish natijasida Si/SiGe/Si mikrogeteroo‘tishlarini hosil qiluvchi germaniy klasterlarini shakllantirish usuli F-2-41 “Har xil tabiatdagi materiallarga (metalllar, yarimo'tkazgichlar va dielektriklar) ionlarni implantatsiya qilishda changlanish, atomlarni kiritish, nano o'lchamdagi tuzilmalar va kuchlanishga ega qatlamlarini hosil qilish jarayonlarini nazariy va eksperimental tadqiq etish" nomli fundamental loyihasini bajarishda foydalanilgan. (TDTU ning 2021yil 13 sentyabrdagi ma’lumotnomasi). Natijada, nano o'lchamli tuzilishga ega, barqaror elektrofizik parametrlarga ega bo'lgan yarimo'tkazgich materialini olish imkonini berdi, bu esa aralashma atomlarini kiritish jarayonlarini eksperimental tadqiqotlar samaradorligini oshirish, ionlarni yarimo'tkazgichga implantatsiya qilish jarayonida nano o'lchamli tuzilmalar va kuchlanish qatlamlarini shakllantirish imkoni yaratilgan.