Фозилжонов Мирзабахром Бахтиёржон ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Вертикал майдон транзисторларини электрофизик хусусиятларига чегара соҳасидаги ва оксид қатламидаги локал заряднинг таъсири” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2024.1.PhD/FM1038
Илмий раҳбар: Каримов Иброхимжон Набиевич, физика-математика фанлари доктори., Профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Гулямов Гафуржон, физика-математика фанлари доктори, профессор; Зикриллаев Нурулло Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: наноўлчамли изоляцияланган уч затворли, изолятор устида кремний технологияси асосида  вертикал майдон транзисторларнинг тавсифлари ва электрофизик параметрларига затвор остидаги оксид қатламида жойлашган локал заряднинг таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: 
изолятор устида кремний технологияси асосида олинган ФинФЕТ транзисторининг затвор ости оксид қатламида канал бўйлаб локал заряд жойлашган соҳа кенглиги истокдан сток томон ортишида, канал сиртида заряд ташувчилар консентрациясининг тақсимотини ўзгариши хисобига исток-затвор ва сток-затвор боғланиш сиғимларини ортиши аниқланган;
вертикал изоляцияланган затворли, изолятор устида кремний (СОИ) технологияси асосида олинган майдон транзистор сток-затвор ва исток затвор боғланишларнинг сиғимларини нисбати, затвор ости оксид қатламидаги канал бўйлаб локал заряд жойлашган соҳа кенглиги стокдан исток томонга кенгайши билан номонотон ўзгариб максимумга эга бўлиши кўрсатилган;
изолятор устида кремний технологияси асосида олинган вертикал изоляцияланган затворли майдон транзисторида затвор ости оксид қатламида жойлашган локал заряднинг вазияти истокдан сток томон кўчирилганда, канал сиртидаги электронлар зичлигини ўзгариши хисобига, исток-затвор боғланиш сиғимини монотон ортиши, сток-затвор боғланиш сиғими эса монотон камайиши  кўрсатилган;
затвор ости оксид қатламидаги, канал бўйлаб локал заряд жойлашган соҳа кенглиги 5 нм бўлган локал заряд канал бўйлаб истокдан сток томон кўчирилганда, изолятор-устида-кремний технологияси асосида олинган ФинФЕТ транзисторнинг сток токи, бўсаға кучланишини ўзгариши хисобига, номонотон ўзгариб маълум максимумга эга бўлиши аниқланган;
ФинФЕТ транзисторнинг сток токи, затвор ости оксид қатламидаги канал бўйлаб локал заряд жойлашган соҳанинг стокдан исток томонга кенгайиши, бўсаға кучланишининг ўзгаришига мос равишда, кескин ортиши кўрсатилган;
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Вертикал майдон транзисторларини электрофизик хусусиятларига чегара соҳасидаги ва оксид қатламидаги локал заряднинг таъсири мавзуси бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
Вертикал майдон транзисторларини оксид қатламида тўпланган локал заряд вазияти истокдан сток томонга силжиши натижасида бўсаға кучланишининг монотон камайиши ва сток соҳасига яқин қисмида янада ортишини рақамли моделлаштириш асосида олинган илмий натижалар “Фотон” АЖ да жорий қилинган (ФОТОН акциядорлик жамияти, 2025-йил 6-февралдаги 22-сон маълумотномаси). Натижада планар, вертикал, ўтишсиз, туннел ва изоляцияланган затворли майдон транзисторларининг тузилмалари ва уларнинг электрофизик параметрларини такомиллаштириш ҳамда функсионал тавсифларини янада яхшилаш жараёнида кенг кўламда қўллаш тавсия этилган. 
Наноўлчамли ФинФЕТ транзистори затвор-исток боғланиш сиғими оксид қатламининг сток яқинида жойлашган локал заряднинг канал бўйлаб чизиқли ўлчамига, шунингдек, затвор-исток сиғимининг затвор-сток сиғимига нисбати оксид қатламидаги локал заряднинг канал бўйлаб жойлашувига монотон боғлиқлигини аниқлашда олинган илмий натижалар Наманган муҳандислик-қурилиш институтида 2017-2020 йилларга мўлжалланган ОТ-Ф2-70 “Кучли электромагнит майдонда наноўлчамли яримўтказгичларнинг параметрларига ҳарорат, дефомрация ва ёруғликнинг таъсири” мавзусидаги фундаментал тадқиқот лойиҳасини бажаришда жорий этилган (Наманган муҳандислик-қурилиш институти, 2025-йил 28-январдаги 06/1/10-09/43-сон маълумотномаси). Натижада наноўлчамли металл–оксид–яримўтказгич структураларда оксид қатламида жойлашган локал заряднинг канал бўйлаб чизиқли ўлчами затвор–исток боғланиш сиғимига сезиларли таъсир кўрсатиши илмий жиҳатдан асослаб берилган.