Матбобоева Саидахон Дилмурод қизининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Нано кремнийли фотоелектрик ўзгартиргичларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2023.4.PhD/FM987
Илмий раҳбар: Носиров Муроджон Закирович физика-математика фанлари номзоди, профессор
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Онарқулов Каримберди Эгамбердиевич  – Фарғона давлат  университети проффессор, физика-математика фанлари доктори.  Атамуратов Атабек Эгамбердиевич –  Урганч давлат университети профессори физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Қарши давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади квант физикаси қонуниятларига таянган ҳолда заряд ташувчиларнинг кўп қатламли наноструктуралардаги хусусиятларини рақамли моделлаштириш асосида тадқиқ қилиш орқали фотоелектрик ўзгартиргичларнинг самардорлигини яхшилаш шартларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат: 
кўп қатламли наноструктураларда электронларнинг барерлардан ўтиш коеффициентида қатламлар чегараларидан ўтган ва қайтган де Бройл тўлқинларининг интерференсияси натижасида квази боғланган ҳолатлар юзага келиши туфайли ўтиш коеффициентида қўшимча максимум ва минимумлар юзага келиши аниқланган;  
биринчи марта электронларнинг кремнийли тўрт қатламли наноструктуралардаги ҳаракатини рақамли моделлаштириш асосида таҳлил қилиш натижасида электр майдони тўртинчи қатламга қўйилганда энг катта самарадорликка эришилиши, электронлар энергияси барер баландлигидан кам бўлса ҳам электр майдони таъсирида барерлардан ўта олиши ҳамда электронларнинг барерлардан ўтиш коеффициенти ва ток зичлигининг электр майдонига боғлиқлиги оссиляцион характерга эга эканлиги аниқланган;
реал қуёш элементларининг хусусиятларини кузатиш тизимини яратиш ҳамда ВАХ тенгламаси ва унинг ҳосиласининг қисқа туташув токи ва салт ишлаш кучланиши нуқталаридаги қийматларидан фойдаланилиб трассендент тенгламани ечиш орқали уларнинг параметрларини аниқлаш усулларини такомиллаштиришга имкон берувчи янги усул ишлаб чиқилган;
п-типли кремний асосидаги фотоелектрик ўзгартиргичларга сферик нанозарралар жойлаштирилиб, кенг диапазонли қуёш спектри билан нурлантирилганда локаллашган плазмон резонанси юзага келиши ва нанозарралар ичидаги электр майдонининг кескин ортиши ҳисобига яхлит металга нисбатан бир неча марта юқори фотоемиссион ток ҳосил бўлиши, нанозарра материали сифатида нафақат қимматбаҳо олтин ва кумуш, балки мисдан ҳам фойдаланиш мумкинлиги, бунда самарадорлик 2% гача ортиши кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Кўп қатламли наноструктуралар ва нанозарралар киритилган кремнийнинг асосий электрофизик хусусиятларини рақамли моделлаштириш бўйича олинган натижалар асосида:
заряд ташувчиларнинг нано кремнийли кўп қатламли структуралардаги ҳаракатини рақамли моделлаштириш асосида олинган илмий натижалар “Фотон” АЖ да жорий қилинган  (АЖнинг 2025 йил 14 апрелдаги № 58 рақамли маълумотномаси). Натижада яримўтказгичли янги кўп қатламли ва оптоелектроник қурилмаларни, шу жумладан қуёш фотоелектрик ўзгартиргичлари, фотодетекторлар, фотокатализаторлар, датчиклар, нано ўлчамли ЛЕДларни такомиллаштиришда ва уларнинг самарадорлигини оширишда янада кенг миқёсда фойдаланиш тавсия этилган. 
Олтин, кумуш ва мис нанозарраларининг фотоелектрик ўзгартиргичларга таъсири бўйича олинган илмий натижалар Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Материалшунослик  институтида 2021-2023 йилларга мўлжалланган ФЗ-201906066 "Ноёб  ер металлари асосида қаттиқ оксидли ёқилги элементларини олиш  технологиясини  ишлаб чиқиш" мавзусидаги  илмий амалий лойиҳани бажаришда жорий этилган (Ўз ФА Материалшунослик институтининг 2025 йил 25 январдаги № 19 маълумотномаси). Натижада мис нанозарраси киритилган кремнийнинг фотоелектрик хусусиятлари  олтин ва кумуш нанозарралари киритилган кремнийнинг фотоелектрик хусусиятларига нисбатан самаралироқ эканлиги кўрсатилган.