Xurramov Ramozan Ravshanovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “ SbxSey yupqa qatlamlarining fizik xossalari va ular asosidagi quyosh elementlari ” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.2.PhD/FM492
Ilmiy rahbar: Razikov Taxirdjon Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zR FA Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Radjapov Sali Ashirovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim; Xalmurat Midjitovich Iliev, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston milliy universiteti.     
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi KMDO‘ usuli yordamida alohida Sb va Se manbalaridan SbxSey yuqori sifatli yupqa qatlamlarini o‘stirish va ularning fizik xususiyatlarini o‘rganish va ular asosida yupqa qatlamli QElari olishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Ilk bor namuna tarkibini boshqarish imkoniga ega bo‘lgan, vakuumsiz KMDOʻ usuli yordamida alohida Sb va Se elementlaridan SbxSey yuqori sifatli polikristall yupqa qatlamlarini olishning optimal texnologik rejimi ishlab chiqilgan;  
taglik harorati 450 °C bo‘lganda SbxSey yupqa qatlamlarining mikrokristallchalari zich joylashgan bo‘lib, ularning diametri va uzunliklari mos ravishda 0.5÷2 µm va 1÷6 µm ekanligi va asosan (hk1) yo‘nalishlarda o‘sishi rentgenogrammalarda (211), (221) va (061) kabi cho‘qqilarning yuqori intensivlikda namoyon bo‘lishi  bilan aniqlangan;
olingan Sb2Se3 yupqa qatlamlarining yorug‘lik yutish koeffisienti α = 104÷105 sm-1 bo‘lib, to‘g‘ri optik o‘tishlarga mos kelishi va taglik harorati 400 °C dan 500 °C gacha o‘zgarganda, donlar hajmi kattalashishi hisobiga taʼqiqlangan soha kengligi 1,26 eV dan 1.16 eV gacha kamayishi aniqlangan; 
Sb2Se3 yupqa qatlamlarining solishtirma elektr oʻtkazuvchanligining haroratga bogʻliqlik funksiyasidan, 400, 450 va 500 °C taglik haroratidagi namunalarda mos ravishda 270 meV donor (SbSe3), 180 meV akseptor (SeSb2) va 230 donor (SbSe1 yoki VSe1), 140 meV akseptor (VSb) faollanish energiyalari hosil boʻlishi koʻrsatib berilgan;
taglik harorati 400 dan 500 °C gacha o‘zgarganda SbxSey yupqa qatlamlarida asosiy zaryad tashuvchilari harakatchanligining µ=7.6 cm2/(V∙s) dan 1.16 cm2/(V∙s) gacha kamayishi Xoll effekti natijalarining tahlili yordamida aniqlangan; 
450 °C taglik haroratida olingan Sb₂Se₃ plyonkalari asosidagi QE ning yorug'likdagi VAX natijalari fotoelektrik parametrlarning quyidagi qiymatlarga USY = 476 mV, Jqt = 22,97 mA/sm2, FF = 49,0% va FIK = 5,36% ega ekanligi aniqlangan;
400 va 450 ℃ taglik haroratlaridagi Sb2Se3 QElari uchun maksimal EQE 70% ga, 500 ℃ da namunaning maksimal EQE si 60% dan pastroq qiymatga tushib ketishi yorug‘lik spektrining ko‘zga ko‘rinadigan va infraqizil sohasida aniqlangan;
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Turli taglik haroratidagi SbxSey yupqa qatlamlarining strukturaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq etish va Sb2Se3 asosidagi SLG/Mo/Sb2Se3/ZnCdS/CdS/ZnO/ITO/Au strukturali QElarini olish asosida: 
Sb2Se3 yupqa qatlamlarini KMDO usulidan foydalangan holda olish va uning strukturaviy, morfologik, optik va elektrik xossalariga taglik haroratining tasirini o‘rganish, SLG/Mo/Sb2Se3/ZnCdS/CdS/ZnO/ITO/Au strukturali QElarining fizik xossalarini o‘rganish orqali olingan natijalarni xorijiy ilmiy jurnallarda ( Energies, 2023, 16(19), 6862, IF: 3, Q1; Physica Scripta, 2023, 98(12), 125521, IF: 2.6, Q2; Applied solar energy, 2024, 60, 179-188, Q3; Journal of Materials Research and Technology, 2024, 33, 6601-6609, IF: 11.2, Q1) Sb2Se3 va CZS yupqa qatlamlarining elektrofizik va optik xossalarini yaxshilash va ular asosida quyosh elementlarini tatqiqot qilishda foydalanilgan. Natijada havola keltirilgan ilmiy ishlarda Sb2Se3 yupqa qatlamlarining elektrofizik xossalarini yaxshilash va ular asosidagi quyosh elementlarining fizik xossalarini tushuntirish va samaradorligini oshirish imkonini bergan. CZS asosidagi quyosh elementlarida rekombinatsiya qarshiligining 443.92 dan 1530.33 Ω cm2 ga o‘zgarishiga xizmat qilgan;
Dissertatsiya doirasida ishlab chiqilgan texnologik rejimlar asosida ALM-20230502808 raqamli «Past haroratlarda elektroliz usuli bilan vodorod olish uchun arzon xom ashyodan tayyorlanadigan samarali nanokatalizator yaratish» nomli loyihaning ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda SLG/Mo/Sb2Se3/ZnCdS/CdS/ZnO/ITO/Au strukturali QElari ilk marta qo‘llanilgan, ZnO yupqa qatlamlarini olish va ularning optoelektrik xususiyatlarini tadqiq qilish usullaridan foydalanilgan. (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 24-fevraldagi 2/1255-469-sonli maʼlumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish loyiha doirasida olingan Mxene asosli katalizatorlar termik barqarorligi oshishiga xizmat qilgan.