Olimov Abdurauf Nematillo o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “ Sb2(SexS1-x)3 qatlamlarini olish va fizik xususiyatlarini mukammal tadqiq qilish ” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.1.PhD/FM582
Ilmiy rahbar: Razikov Taxirdjon Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zR FA Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Rasulov Rustam Yavkachovich, fizika-matematika fanlari doktori, prof; Yodgorova Dilbar Mustofaevna, texnika fanlari doktori, prof.
Yetakchi tashkilot: Namangan davlat universiteti.     
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi Samarali quyosh elementlari uchun Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarini olish va olingan yupqa qatlamlarning fizik xususiyatlarini tadqiq qilish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Ilk bor mashinaviy o‘qitish algoritmlari va Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlari olishning termodinamik parametrlari asosida Sb2(SxSe1-x)3 quyosh elementlarining fotovoltaik parametrlarini prognoz qilish usuli yaratildi hamda [211], [221] va [002] tekstura koeffisientlarining qiymatlari oshib borishi bilan quyosh elementlari uchun optimal qalinlikning ham oshib borishi aniqlangan;
Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarining tarkibi, olish jarayonidagi o‘sish tezligi, taglik harorati va quyosh elementlari samaradorligi orasidagi bogʻliqlik qonuniyatlari ilk bor termodinamik parametrlarning o‘zaro bir-biriga bog‘liq ravishda o‘rganilib, o‘sish tezligining ~600 nm/min, taglik haroratining 300-400oC oraliqlarida Sb2(SxSe1-x)3 asosidagi quyosh elementlarining samaradorligi yuqori qiymatlarga erishishi ko‘rsatib berilgan;
Taglikning 300oC haroratida va taglik sirti yaqinida yupqa qatlamlar tarkibi Sb/(S+Se)>0.67 bo‘lganda mikrokristalchalarning maksimal o‘lchami 3 mkm gacha va asosiy kristallanish yoʻnalishi [hkl, l=0] dan iborat bo‘lishi, taglik sirti yaqinida Sb/(S+Se) ≤ 0.66 bo‘lgan sharoitda mikrokristalchalarning maksimal o‘lchami 6 mkm gacha va asosiy kristallanish yoʻnalishi [hkl, l=1] dan iborat bo‘lishi aniqlangan; 
Olingan Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarning tarkibida oltingugurtning miqdori ortishi bilan asosiy kristallanish yoʻnalishi [221] ning 2θ=31.77 gradusdan 32.4 2θ=32.40 gradusga siljishi, Raman spektrlarida 190 cm-1 va 210 cm-1 dagi cho‘qqilar kamayib, 280 cm-1 va 310 cm-1 dagi cho‘qqilar ortib borishi hamda taqiqlangan soha kengligini 1.06 eV dan 1.65 eV ga o‘zgarishi bilan Sb2(SxSe1-x)3 qattiq qorishma hosil bo‘lganligi ko‘rsatilgan;
Ilk bor Sb2Se3 yupqa qatlamlarini olishda o‘zgarmas tashqi elektr maydonining yupqa qatlamlar xususiyatlari ta’siri o‘rganildi. Bir xil tarkibiy Sb/Se=0.77 nisbatda mikrokristallchalar o‘lchamlari ~0.9 µm dan ~2 µm gacha ortishi, mikrodomenlarda kristallchalarning ayni bir xil yoʻnalishda tartiblanishi va asosiy difraksiya cho‘qqilarining (211), (221) va (301) dan (120), (230) va (240) ga o‘zgarishi bilan tashqi elektr maydonning ta’siri ko‘rsatib berilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarini strukturaviy, optik va elektrofizik xossalarining tadqiq etish asosida: 
Dissertatsiya tadqiqot ishi doirasida turli tarkibli (0≤x≤1) Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlaridagi oltingugurt konsentratsiyasi, olish jarayonidagi taglik harorati, o‘stirish tezligi va qalinligini optimallashtirish usullaridan, shuningdek Sb2(SxSe1-x)3 yupqa qatlamlarining morfologik, strukturaviy, optik va elektrofizik xususiyatlarini tadqiq qilish asosida olingan natijalardan AP19574404 raqamli «Qalay oksidi asosidagi ierarxiya strukturali materiallar olish» nomli loyihaning ilmiy texnikaviy vazifalarini bajarishda joriy qilingan. (Olmota fizika va texnologiya institutining 18-dekabrdagi 459/10.02-10-sonli ma’lumotnomasi). Natijada zol-gel usuli bilan yuqori sifatli SnO2 yupqa qatlamlari olishning texnologik optimal rejimlari aniqlangan va olish jarayonidagi taglik harorati 300-500 oC, prekursorlar konsentratsiyasi 0.1-0.5 mol/l, qizdirish vaqti 10-20 minut, yupqa qatlamlarning o‘stirish tezligi 
Dissertatsiya tadqiqotida taklif etilgan texnologik rejimlar asosida olingan yutilish koeffisienti α=104÷105 cm-1, to‘gʻri o‘tishli, optimal ta’qiqlangan soha kengligi Eg = 1.2 ÷1.5 eV, solishtirma elektr o‘tkazuvchanligi σ =10-4 ÷10-5 (Om⸱cm)-1, p-tur va Urbax energiyasi Eu=0.16÷0.35 eV bo‘lgan Sb2(SexS1-x)3 yuqori sifatli polikristall yupqa qatlamlari “Quyosh pechida yuqori nomuvozanat sharoitda sintezlangan kompozision nanostrukturali materiallarni tadqiq qilish va ishlab chiqish xamda ular asosida qoplamalar yaratish (2021-2024yy)” nomli loyihaning ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 2025-yil 21-fevraldagi 2/1255-452-sonli ma’lumotnomasi). Natijada Sb2(SexS1-x)3 polikristall yupqa qatlamlari sirtiga n-turdagi SnO2 shaffof o‘tkazuvchi yupqa qatlami o‘stirish asosida ilk marta yuqori sifatli Sb2(SexS1-x)3/SnO2-geterosturukturalar olingan, shuningdek, ularning elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq etilgan.