RAXMATOV Axmad Zaynidinovich: «Yarimo‘tkazgichli yuqori chastotali va cheklagich diodlar tayyorlash texnologiyasini ishlab chiqish, ularning parametrlarini termo- va radiatsion ta’sirda optimallashtirish» (01.04.10 texnika fanlari) - O‘zR FA Fizika-texnika instituti, Ion plazma va lazer texnologiyalari instituti va Samarqand davlat universiteti (100084, Toshkent, Bodomzor yo‘li ko‘chasi 2b - uy. Tel. (99871) 233-12-71; faks: (99871) 235-42-91; e-mail:lutp@uzsci.net) (dissertatsiya rus tilida)
Ilmiy maslaxatchi: A.V.Karimov
Ish bajarilgan tashkilot: O‘zR FA Fizika-texnika instituti va «FOTON» OAJ
Rasmiy opponentlar: V.N.Ulimov, A.M.Kasimaxunova, M.B.Tagaev
Yetakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga moyil
I. Tadqiqotning maqsadi: differensial qarshiligi kichraytirilgan kremniy diodi tuzilmalarini ishlab chiqarishning optimal diffuzion texnologiyasini ishlab chiqish va yuqori chastotali to‘g‘rilagich diod va kuchlanishni cheklagichlarning sifatini yaxshilash, ishonchliligini radiatsiya ta’sirida ko‘tarishdan iborat.
II. Dissertatsiya natijalarining ilmiy yangiligi:
ilk bor margimush bilan legirlangan kremniy r+-n+ -strukturasi asosida manba bloklari muhofazasi uchun kichik vol`tli (< 7 V) kuchlanish cheklagichlari olish texnologiyasi yaratilgan;
ilk borkremniy r+-p-n-n+-strukturasi asosida effektiv issiqlik tarqatuvchi kontaktli quvvatli (10A) to‘g‘rilagich-cheklagich diodlar olish usuli ishlab chiqilgan;
ilk bor quvvatli r+-p-n-n+-o‘tishli diodlarga 450 da qotadigan ikki qavatli kumush va vanadiy asosida uch qatlamdan iborat omik kontakt olish usuli ishlab chiqildi, issiqlik uzatuvchi kompensator sifatida gal`vanik usulda kumush bilan qoplangan mis qatlami tanlangan;
kuchlanish cheklagichi parametrlarini o‘lchaydigan – universal ikki generatorli, xatoligi bir generatorli usulga nisbatan uch marta kam bo‘lgan yangi usul ishlab chiqilgan;
ilk bor arsenid galliy asosida, omik kontaktli, birinchi tip taglik, biri ikkinchisidan ma’lum masofada joylashgan ikkita omik kontaktli, ikkinchi tip o‘tkazuvchan yupqa qatlamdan va omik kontaktga ulangan elektrodlardan iborat yarim o‘tkazgich asbob ishlab chiqilgan;
kuchlanish cheklagichi samaradorligini qarshilik bilan tok zichligi orasidagi bog‘liqlik asosida, keng teshilish toki sohasida aniqlash usuli ishlab chiqilgan;
harorat potensiali va issiqlik oqimi generatorlar sifatida ulanish va impul`sli kuchlanish berish sharoitida, issiqlikni uzatish va p-n-o‘tishni qizish temperaturasini hisoblashga asoslangan, issiqlik modellari ishlab chiqilgan;
kuchlanish cheklagichi va yuqori chastotali diodlar parametrlarining optimal moslashishini ta’minlaydigan radiatsion texnologik ta’sirlar turini aniqlashning muhandislik uslubi ishlab chiqilgan;
ilk bor kuchlanish cheklagichining ishdan chiqish fursatini qayd qiluvchi radioelektron apparaturani himoya etuvchi qurilma ishlab chiqilgan.
III. Dissertatsiyaning amaliyotga joriy etilgan natijalari va ularning samaradorligi: Tadqiqotlar natijasi asosida qilingan ixtirolarga 3ta O‘zbekiston Respublikasi patenti (№ IAP 04599 04.10.2012y., № IAP 04721 03.05.2013y., № IAP 04571 22.08.2012y.) va 1ta Rossiya patenti (№ 2522786 21.05.2014y.) olingan. Tadqiqotlar natijasida kichik vol`tli kuchlanish cheklagichlari va yuqori chastotali to‘g‘rilovchi-cheklagich diodlar texnologiyasi ishlab chiqilgan hamda kuchlanish cheklagichlarining xarakteristikalarini optimallashtirish uslublari OAJ «FOTON» da ishlab chiqarishga joriy etilib, yillik iqtisodiy samara 78 mln so‘mni tashkil etgan («O‘zeltexsanoat» Assotsiatsiyasining 12.12.2013 yildagi joriy qilinganlik dalolatnomasi).
