Расулова Мархабохон Ботиржон қизининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ЗнО юпқа қатламларининг физикавий хусусиятларига Ал, Мг ва Ни киришма атомларининг таъсирлари”   01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2025.1.PhD/FM1264
Илмий раҳбар: Бобоев Акрамжон Йўлдашбоевич, физика-математика фанлари доктори.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети ва Андижон машинасозлик институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Икрамов Рустам Ғуломжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салим Мадраҳимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Қарши давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ЗнО юпқа қатламларига Ал, Мг ва Ни атомлари билан легирлашнинг оптимал шарт-шароитларини аниқлаш ҳамда олинган плёнкаларнинг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик ва фотоелектрик хоссаларини тадқиқ қилишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: 
илк бор Ал, Мг ва Ни киришма атомлари қўшилган ЗнО юпқа қатламлари ҳамда улар асосидаги н-ЗнО/п-НиО гетеротузилма юпқа плёнкалари спрей-пиролиз усули билан ўстирилди ва синтез қилиш технологиясининг энг мақбул шарт-шароитлари (пуркаш тезлиги 8 мл/мин, босим 2 атм, таглик ва пурковчи сопло орасидаги масофа 80÷85 см, золни пуркаш ва танаффус давомийлиги мос равишда 1 дақиқа ва 30 сония) аниқланган; 
Мг, Ал ва Ни киришма атомлари билан легирланган ЗнО асосидаги юпқа қатламлар вюрсит тузилишли гексагонал кристалл панжарага эга бўлиб, уларнинг C6/ммc фазовий гуруҳга мансублиги ренгентузилмавий тадқиқотлар натижалари асосида аниқланган; 
ўстирилган плёкаларнинг электрофизик тадқиқот натижаларига асосида Ал, Мг ва Ни атомлари  билан легирланган ЗнО плёнкаларда солиштирма қаршилиги ρ=0.43÷2.58 Ω cм, ток ташувчилар консентрацияси н=1.9×1018÷5.4×1017cм-3 ҳамда заряд ташувчилар ҳаракатчанлиги μ=7.02÷1.85 cм2/ В×с қийматларга эга эканлиги аниқланган;
киришма атомлари киритилган ЗнО оптик ўтказувчанлиги ва тақиқланган соҳа кенглиги қуйидагича: АЗО учун Т=81-90%, Эг=3.2-3.31еВ; МЗО учун Т= 70-85%, Эг=3.2-3.47еВ; ЗнО: Ни учун Т= 80-74%, Эг=3.2-3.1еВ ўзгариши мумкинлиги аниқланган;
ЗнО, НиО плёнкалари ва ЗнО/НиО гетеротузилмларининг ман этилган соҳа энергияларини мос равишда 3,27 эВ, 3,81 эВ ва 3,26 эВ бўлган қийматлари аниқланди ҳамда уларни хоссалари ўрганилиб, қуёш энергетикаси ва оптоелектроникада фойдаланиш мумкинлиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Спрей пиролиз усули ёрдамида ўстирилган Ал, Мг ва Ни киришма атомлари билан легирланган ЗнО юпқа қатламларининг ҳамда н-ЗнО/п-НиО гетеротузилмаларини тузилмавий асослари, электрофизик ва фотоелектрик хоссаларини тадқиқ қилиш бўйича олинган илмий-амалий натижалар асосида:
ЗнО ва НиО плёнкалари ҳамда ЗнО/НиО гетеротузилмалари учун оптимал иссиқлик билан ишлов бериш шароитлари, ЗнО, НиО плёнкалари ва ЗнО/НиО гетеротузилмалари учун ман этилган соҳа энергияларини юқори аниқликда текшириш усуллари ҳамда н-ЗнО/п-НиО гетеротузилмалари орқали ток ўтиш жараёнининг туннел-рекомбинация механизмига бўйсуниши каби илмий-амалий натижалардан "ФОТОН" акциядорлик жамиятида ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли электрон қурилмалар яратишда фойдаланилган («ФОТОН» АЖ нинг 2024 йил 16 сентябрдаги 157-сон маълумотномаси). Натижада тажрибавий  намуналарда  электротехник асбоблар тайёрлаш ҳамда уларнинг электрофизик ва оптик хоссаларини яхшилаш имконини берган.
н-ЗнО/п-НиО гетеротузилмаларининг волт-ампер характеристикаларига ёруғлик нурланишининг таъсирини аниқлаш усуллари ОТ-Ф2-71 рақамли “Ўта юқори частотали электромагнит майдондаги деформацияланган п-н ўтиш волт-ампер характеристикасига ёруғликнинг таъсирини тадқиқ этиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳа грантини бажаришда қўлланилган (Наманган муҳандислик-қурилиш институти, 2025-йил 11-январ, № 06/10-09/48-сонли маълумотнома). Илмий натижалардан фойдаланиш п-н ўтишнинг ёруғликка сезгирлиги ва фотодетектор хусусиятларини оптималлаштириш ҳамда юқори самарали оптоелектроник қурилмаларни яратиш имкони аниқланган.