Shirinov Ganjimurod Mamir o‘g‘li
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i): “Ion implantatsiya usuli yordamida GaP yuza va yuza osti qatlamlarida hosil qilingan uch komponentli nanotuzilmalarning tarkibi, tuzilishi va fizik xususyatlarini o‘rganish”.
01.04.04 – Fizik elektronika (fizika - matematika)
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.3.PhD/FM766.
Ilmiy tadqiqot ishi bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
Ilmiy rahbar: Donaev Sardor Burxanovich fizika-matematika fanlari doktori, professor
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Bahrom Egamberdich fizika-matematika fanlari doktori, professor; Raxmonov G‘aniboy Tadjievich fizika-matematika fanlari doktori, dotsent
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi GaP monokristalining yuza va yuza osti sohalarida nanoo‘lchamli strukturalar va qatlamlarni olish, ularning tarkibini, elektron va kristall strukturasini, emission, optik va elektrofizik xususiyatlarini kompleks o‘rganish mexanizmlarini yoritishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk marotaba GaP(111) yuzasiga In+ ionlarini implantatsiya qilish va keyingi qizdirish orqali yuzada 30-35 Å qalinlikdagi Ga0,6In0,4P nano-kristall fazalar va plyonkalar tahlil qilinib, GaInP nanofazalarini qalinligi h ≈ 30-35 Å va yuza diametri d ≤ 20-35 nm bo‘lgan holatlarda taqiqlangan zona kengligining ortishi, hamda kvant-o‘lchamli effektlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
ilk marotaba Ga0,6Al0,4P va Ga0,6In0,4P nanoplyonkalarining valent elektronlar holatlari zichligi va energetik zonalari parametrlari hamda bu plyonkalarning epitaksial o‘sishi aniqlangan;
ilk marotaba GaAs/CaF2 tizimi uchun CaF2 yuzasida Sa1-xSrxF2 nanoo‘lchamli muvofiqlashtiruvchi qatlamlar olingan;
ilk marotaba GaP namunasini Ar+ ionlari bilan bombardimon qilib, qalinligi 40-45 Å bo‘lgan Ga qatlami hosil qilinib, uning yuzasiga Ni atomlari o‘tqazilib o‘ta yupqa omik kontaktlar hosil qilish mumkinligi aniqlangan;
ilk marotaba In+ ionlari implantatsiyasi yordamida GaInP/GaP/GaInP/GaP tipidagi ikki qatlamli tizim hosil qilingan, uning tuzilishi, taqiqlangan zonalarning kengligi aniqlanib tizimining energetik zonalar diagrammasi yaratilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Ion implantatsiya usuli yordamida GaP yuza va yuza osti qatlamlarida hosil qilingan uch komponentli nanotuzilmalarning tarkibi, tuzilishi va fizik xususiyatlarini o‘rganishda olingan natijalar asosida:
CaF2 yuzasida GaAs/CaF2 sistemasi uchun Sa1-xSrxF2 nanoo‘lchamli muvofiqlashtiruvchi qatlam olish natijalari Toshkent davlat texnika universitetida 2022-2024-yillarda bajarilayotgan AL-202102215 “Ferromagnit nanoklasterli
Si bilan aylanma saraton hujayralarni tutib qoluvchi mikro suyuqlik kanalli integrallashgan tizim” mavzusidagi O‘zbekiston-Turikiya qo‘shma amaliy loyihasini bajarishda foydalanilgan (Oliy ta’lim,fan va innovatsiyalar vazirligining 2024-yil 24-sentyabrdagi 4/17-4/4-18162-son maʼlumotnomasi). Natijada kremniy hajmi bo‘yicha olingan Mn atomlari magnit nanoklasterlarning konsentratsiyasini, Mn, Eu va Gd elementlari atomlarinig magnit nanoklasterlarni kremniy yuzasida shakllantirish hisobiga oshirib, mavjudlariga nisbatan 4 barobar yuqori magnit xususiyatli kemniyni olishga erishilgan;
In+ ionlari implantatsiyasi usulidan foydalanilgan holda toblanish (lazerda qizdirish) bilan birgalikda GaP(111) yuzasida 30-35 Å qalinlikdagi Ga0.6In0.4P nanokristall fazosi va plyonkasi olinganligidan “Foton” AJ da shu material asosida yarim o‘tkazgichli elementlarni yaratishda foydalanilgan (“Uzeltexsanoat” AJ dan 2024-yil 23-sentyabrdagi 04-3/1598-sonli maʼlumotnoma).Tadqiqot natijalaridan foydalanish, yarim o‘tkazgichli elementlarni yaratishda ishlatilayotgan material-larni 2 barobarga tejash imkoniyatini bergan.
