Ширинов Ганжимурод Мамир ўғли
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи): “Ион имплантация усули ёрдамида ГаП юза ва юза ости қатламларида ҳосил қилинган уч компонентли нанотузилмаларнинг таркиби, тузилиши ва физик хусусятларини ўрганиш”.
01.04.04 – Физик электроника (физика - математика)
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.3.PhD/FM766.
Илмий тадқиқот иши бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
Илмий раҳбар: Донаев Сардор Бурханович физика-математика фанлари доктори, профессор
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Баҳром Эгамбердич физика-математика фанлари доктори, профессор; Рахмонов Ғанибой Таджиевич физика-математика фанлари доктори, доцент
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.
Диссертация йўналиши назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади ГаП монокристалининг юза ва юза ости соҳаларида наноўлчамли структуралар ва қатламларни олиш, уларнинг таркибини, электрон ва кристалл структурасини, эмиссион, оптик ва электрофизик хусусиятларини комплекс ўрганиш механизмларини ёритишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк маротаба ГаП(111) юзасига Ин+ ионларини имплантация қилиш ва кейинги қиздириш орқали юзада 30-35 Å қалинликдаги Га0,6Ин0,4П нано-кристалл фазалар ва плёнкалар таҳлил қилиниб, ГаИнП нанофазаларини қалинлиги ҳ ≈ 30-35 Å ва юза диаметри д ≤ 20-35 нм бўлган ҳолатларда тақиқланган зона кенглигининг ортиши, ҳамда квант-ўлчамли эффектлар ҳосил бўлиши аниқланган;
илк маротаба Га0,6Ал0,4П ва Га0,6Ин0,4П наноплёнкаларининг валент электронлар ҳолатлари зичлиги ва энергетик зоналари параметрлари ҳамда бу плёнкаларнинг эпитаксиал ўсиши аниқланган;
илк маротаба ГаАс/CаФ2 тизими учун CаФ2 юзасида Са1-хСрхФ2 наноўлчамли мувофиқлаштирувчи қатламлар олинган;
илк маротаба ГаП намунасини Ар+ ионлари билан бомбардимон қилиб, қалинлиги 40-45 Å бўлган Га қатлами ҳосил қилиниб, унинг юзасига Ни атомлари ўтқазилиб ўта юпқа омик контактлар ҳосил қилиш мумкинлиги аниқланган;
илк маротаба Ин+ ионлари имплантацияси ёрдамида ГаИнП/ГаП/ГаИнП/ГаП типидаги икки қатламли тизим ҳосил қилинган, унинг тузилиши, тақиқланган зоналарнинг кенглиги аниқланиб тизимининг энергетик зоналар диаграммаси яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Ион имплантация усули ёрдамида ГаП юза ва юза ости қатламларида ҳосил қилинган уч компонентли нанотузилмаларнинг таркиби, тузилиши ва физик хусусиятларини ўрганишда олинган натижалар асосида:
CаФ2 юзасида ГаАс/CаФ2 системаси учун Са1-хСрхФ2 наноўлчамли мувофиқлаштирувчи қатлам олиш натижалари Тошкент давлат техника университетида 2022-2024-йилларда бажарилаётган АЛ-202102215 “Ферромагнит нанокластерли
Си билан айланма саратон ҳужайраларни тутиб қолувчи микро суюқлик каналли интеграллашган тизим” мавзусидаги Ўзбекистон-Турикия қўшма амалий лойиҳасини бажаришда фойдаланилган (Олий таълим,фан ва инновациялар вазирлигининг 2024-йил 24-сентябрдаги 4/17-4/4-18162-сон маʼлумотномаси). Натижада кремний ҳажми бўйича олинган Мн атомлари магнит нанокластерларнинг консентрациясини, Мн, Эу ва Гд элементлари атомлариниг магнит нанокластерларни кремний юзасида шакллантириш ҳисобига ошириб, мавжудларига нисбатан 4 баробар юқори магнит хусусиятли кемнийни олишга эришилган;
Ин+ ионлари имплантацияси усулидан фойдаланилган ҳолда тобланиш (лазерда қиздириш) билан биргаликда ГаП(111) юзасида 30-35 Å қалинликдаги Га0.6Ин0.4П нанокристалл фазоси ва плёнкаси олинганлигидан “Фотон” АЖ да шу материал асосида ярим ўтказгичли элементларни яратишда фойдаланилган (“Узелтехсаноат” АЖ дан 2024-йил 23-сентябрдаги 04-3/1598-сонли маʼлумотнома).Тадқиқот натижаларидан фойдаланиш, ярим ўтказгичли элементларни яратишда ишлатилаётган материал-ларни 2 баробарга тежаш имкониятини берган.
