Сапаров Хушнудбек Шарипбаевичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Икки ўлчамли МоС2 асосидаги МДЯ транзистори структуравий параметрларининг деградацион эффектларга таъсирини моделлаштириш” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2023.2.PhD/FM898
Илмий раҳбар: Атамуратов Атабек, физика-математика фанлари доктори, проф.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч Давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси С.А. Азимов номидаги Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, проф; Ёдгорова Дилбара Мустофаевна, техника фанлари доктори, проф.
Етакчи ташкилот: Мухаммад ал-Хоразмий номидаги Тошкент ахборот технологиялар университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади икки ўлчамли МоС2 асосидаги МОЯ транзисторида қисқа канал, ўз–ўзини қиздириш ва тасодифий телеграф шовқин деградация эффектлари ва уларга транзистор геометрияси, қўлланиладиган оксид материаллари ва турли ишлаш режимларининг таъсирини, моделлаштириш орқали ўрганиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
канал марказининг ҳарорати канал юзасининг затвор ости оксиди қатлами билан қопланиш даражасига сезгир эканлиги исботланиб, орқа оксиди қатлами қалинлиги ортиши билан канал маркази температураси чизиқли ортиш қонунияти асосланган;
канал бўйлаб температура тақсимоти затворга бериладиган кучланишнинг ишораси ва қийматига боғланиш қонунияти аниқланиб, затворга  манфий (Вг< 0) кучланиш берилганда температура сток томонида каттароқ бўлиши, затворга мусбат (Вг> 0) кучланиш берилганда эса температура каналнинг истокга яқин соҳасида юқори бўлиши асосланган;
илк бор затвор узунлиги 40 нм дан кичик бўлган транзисторлар учун затвор ости ва орқа оксид қатламлар материалларининг турли комбинациясида, канал марказидаги температура, асосан орқа оксид қатлами материали иссиқлик ўтказувчанлигига боғлиқ эканлиги аниқланди ва канал марказидаги температура орқа оксид қатлам сифатида иссиқлик ўтказувчанлиги 1.4 W/(K∙m) бўлган СиО2 ишлатилганда иссиқлик ўтказувчанлиги 2.3 W/(K∙m) бўлган ҲфО2 ишлатилган ҳолга қараганда юқорироқ бўлиши кўрсатилган; 
затвор узунлиги 40 нм дан кичик бўлган транзисторлар учун затвор ости ва орқа оксид қатламлар материалларининг турли комбинациясида, қисқа канал ДИБЛ эффекти ва СС, асосан орқа оксид қатлами материали диелектрик сингдирувчанлигига боғлиқ эканлиги ҳамда орқа оксид қатлам материали сифатида, нисбий диелектрик сингдирувчанлиги 3.9 бўлган СиО2 ишлатилганда ДИБЛ эффекти ва СС, нисбий диелектрик сингдирувчанлиги 25 бўлган ҲфО2 ишлатилган ҳолдагига нисбатан кичикроқ бўлиши аниқланган; 
затвор кучланиши бўсағадан паст бўлганда тасодифий телеграф шовқин амплитудаси сезиларли бўлиб, сток кучланишига ва якка заряднинг канал бўйлаб вазиятига боғлиқ эканлиги кўрсатилган ҳамда, затвор кучланиши бўсаға кучланишидан 1.7 В кичик бўлганда, якка заряд канал бўйлаб марказда жойлашган ҳолда, истокга ёки стокга яқинроқ бўлган ҳолларга нисбатан тасодифий телеграф шовқин амплитудаси 3 мартагача каттароқ эканлиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Икки ўлчамли МоС2 асосидаги МОЯ транзисторнинг структуравий ва электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш асосида: 
икки ўлчамли материалдан ташкил топган транзистор характеристикаларини моделлаштириш натижалари ОТ-Ф2-68 рақамли “Кристалларда киришма-нуқсон микро ва нано бирикмалар шакилланишининг механизмлари ҳамда уларнинг асосида кенг функсионал имкониятли кўпқатламли структураларни яратиш” мавзусидаги фундаментал тадқиқот лойиҳанинг илмий-техникавий вазифаларини бажаришда, хусусан, икки ўлчамли нуқсонлар ва нанобирикмаларга эга материаллар ва улар асосидаги структуралар хоссаларини моделлаштиришда қўлланилди (Андижон давлат университетининг, 19 сентябр 2024 йилдаги 38-01-859-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичли структуралар хоссаларини моделлаштириш имконини берган;
икки ўлчамли МоС2 асосидаги МДЯ транзистори структуравий параметрлари ва оксид қатламлар материаллари параметрларининг деградацион эффектларга таъсирини моделлаштириш натижалари Ҳиндистон ҳукуматининг Фан ва технологиялар депертаменти томонидан қўллаб-қувватланган, Веллоре Технологиялар Институтитида амалга оширилган “Радиочастотали занжирларда қўллаш учун молжалланган МоС2 асосидаги майдоний транзисторини лойиҳалаш” мавзусидаги лойиҳасини бажаришда МоС2 асосидаги майдоний транзисторларни моделлаштиришда қўлланилган (Веллоре технологиялар институти, Электроника муҳандислик мактаби, Микро ва наноелектроника кафедраси мудирининг 10 декабр 2023 йилдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш икки ўлчамли майдоний транзисторларни, хусусан ўтиш метал дихалкогинидлари асосидаги майдоний транзисторлар геометрик ўлчамлар ва турли оксид материалларнинг транзистордаги ўз–ўзини қиздириш ва қисқа канал эффектларига таъсирини оптимал моделлаштириш имконини берган.