Ходжаев Уткиржон Октамовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи): “ТлИн1-х Фех(С,Се)2 қаттиқ аралашмали монокристалларининг оптикавий, электрофизикавий ва фотоелектрикавий хусусиятлари”, 01.04.07 – Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: № В2024.2.PhD/FM1118 
Илмий раҳбар: Нуритдинов Иззатулло, физика-математика фанлари доктори, профессор
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ядро физикаси институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ядро физикаси институти, DSc.02/30.12.2019.FM/Т.33.01.
Расмий оппонентлар: Ражабов Соли Аширович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Парпиев Адхамжон Собиржанович, физика-математика фанлари бўйича PhD, катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: Назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқот ишининг мақсади ТлИн(1-х)ФехС2 ва ТлИн(1-х)ФехСе2 қаттиқ эритмаларининг кристалл структураси, электрофизик, фотоелектрик ва оптик хоссаларига темир киришмаси консентрацияси ва ионлаштирувчи нурланишларнинг таъсирини аниқлашдан иборат. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
ТлИн1-хФехСе2 (х = 0–0.02) қаттиқ эритмалари И4/мcм фазовий гуруҳли тетрагонал сингония асосида а = 8.068 Å, б = 8.068 Å, c = 6.816 Å параметрлари билан бир фазали, ТлИн1-хФехС2 қаттиқ эритмалари (х = 0–0.01) эса П2/м фазовий гуруҳли, панжара параметрлари а = 10.896 Å, б = 10.896 Å,  c= 15.173 Å билан моноклин сингония асосида кристалланиши аниқланган: кристалларни Фе аралашмаси билан легирлашда уларнинг бир фазалилиги, сингонияси ва фазовий гуруҳлари сақланиб қолади, бунда аралашма консентрациясининг ортиши билан кристалл панжаранинг параметрлари аста-секин камаяди;
ТлИн1-хФехСе2 қаттиқ эритмаларида кичик дозалар (радиацион силкиниш) ҳодисаси аниқланган: намуналарни 60Со манбаининг гамма нурлари билан 107 Рад дозагача нурлантириш, шунингдек, электронлар билан 5×1015 электрон/см2 флюенсгача нурлантирилганда, қаттиқ эритмаларнинг элементар ячейкаси параметрлари камаяди, уларнинг тақиқланган зоналарининг кенглиги Эг ортади. Нурланиш дозаси янада ортганда эса кристалл панжаралар параметрларининг қийматлари ортади, тақиқланган зоналарининг кенглиги Эг эса камаяди;
темир ионлари билан легирлаш, шунингдек, гамма нурлари ва электронлар билан нурлантириш ТлИнСе2 монокристаллари ҳамда ТлИн0,98Фе0,02Се2 қаттиқ қоришмаларининг сирт морфологиясини кучли ўзгартириши аниқланган: ТлИнСе2 кристалларига темир киришмаларининг киритилиши сиртнинг ҳолатини яхшилашга, профилнинг ўртача арифметик оғишининг максимал қийматини камайтиришга, шунингдек, ўртача ғадир-будирлик баландлигининг пасайишига олиб келади, 5×1016 электрон/см2 флюенсли электронлар билан нурлантириш эса ҳам легирланмаган, ҳам легирланган кристалларда сирт ҳолатини сезиларли даражада ёмонлаштиради;
темир ионлари консентрациясининг ортиши билан ўрганилаётган таркиблар қаттиқ эритмалари монокристалларининг солиштирма қаршилиги ρ, тақиқланган соҳа кенглиги Эг, спектрал фотосезгирлик максимуми (ҳв)мах ортиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: ТлИнСе2, ТлИнС2 ва ТлИн1-хФех(С,Се)2 монокристалларининг структуравий, оптик, электрофизик ва фотоелектрик хоссаларини тадқиқ қилиш бўйича олинган натижалар асосида:
тетрагонал тузилишга эга ТлИн1-хФехСе2 монокристаллида (фаз.гр. И4/мcм) ва моноклин сингонияли ТлИн1-хФехС2 (х=0–0.01) қаттиқ эритмасида (фаз.гр. П2/м, β=100о) бир фазали ҳолатларни ўрнатиш;
ТлИнСе2 ва ТлИнС2 кристалларини темир ионлари билан легирлашда сирт ҳолатини яхшилаш;
ТлИн1-хФехС2 қаттиқ қоришма монокристалларининг темир ионлари консентрацияси ортиши билан солиштирма қаршилик ρ, тақиқланган зона кенглиги Эг, спектрал фототок (ҳв)мах максимумлари ҳолатлари ортиши аниқлангани Озарбайжон Республикаси Фан ва таълим вазирлиги Физика институтининг “ТлГаС(Се)2–Нд2С(Се)3,(ТлГаСе2)х(ТлБиСе2)1-х, ТлГаС2-ТлГаСе2, ТлГаСе2-ТлГаС2, ТлИнС2 - ТлИнСе2 системалар кристаллофизикаси ва уларга нодир ер элементларининг таъсири” мавзусидаги тадқиқотлари доирасида фойдаланилган (Озарбайжон Республикаси Фан ва таълим вазирлиги Физика институтининг 25.11.2024-йилдаги №029-08/476-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мураккаб яримўтказгичларнинг физик хоссаларини, уларнинг таркиби ва киришмалар миқдорига боғлиқлигини таҳлил қилиш имконини берган; нодир ер киришмалари билан легирлашда ТлИнС2 ва ТлИнСе2 қаттиқ қоришмаларининг кристалл панжаралари параметрларининг ўзгариш характерини аниқлаштириш, шунингдек, бошқа киришмалар билан легирлашда ушбу кристалларнинг сирт ҳолатини яхшилаш имконини берган;
ТлИнСе2 кристалларининг Фе (2 мол.% гача) аралашмаси билан легирланганда уларнинг бир фазалилиги, сингонияси ва фазовий гуруҳи сақланиб қолиши, сирт ҳолати яхшиланиши, кристалл панжара параметрлари камайиши аниқланган. Электронлар билан нурлантирилганда (5·10¹⁵ эл/см² гача) элементар ячейка параметрлари камайиши ва тақиқланган зона кенглиги ошиши кузатилган. Олинган натижалардан хорижий олимлар томонидан фойдаланилган (хорижий илмий журналларда иқтибос: Жоурнал оф Модерн Пҳйсиcс Б., 2024. – П. 2550103; Материалс Ресеарч Инноватионс, 2024. – П. 1-5; Эурасиан Пҳйсиcал Течниcал Жоурнал, 2024. В. 21. Но 2 (48). – П. 5-13).  Илмий натижаларнинг қўлланилиши ТлИнССе, ЗнСе и Мд2Зн2О7 турдаги кристалларни киришмалар билан легирлаш ва ионлаштирувчи нурланиш таъсирида уларнинг кристалл панжара параметрлари, тақиқланган зона кенглиги ва сирт ҳолатларининг ўзгариш механизмларини асослаш имконини берган.