Атаубаева Аккумис Берисбаевнанинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Юқори қувватли кремнийли лавинали-учар диодларнинг кўп қатламли омик контактларининг контакт қаршилигини шакллантиришнинг физик асослари”, 01.04.10 – «Яримъотказгичлар физикаси».
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2024.2.DSc/ФМ271.
Илмий маслаҳатчи: Исмаилов Канатбай Абдреймович, физика-математика фанлари доктори, профессор, кафедра мудири.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Қорақалпоқ давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Физика-техника институти, DSc.02/27.02.2020.ФМ/Т.110.01.
Расмий оппонентлар: Абдурахманов Каххор Паттахович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Турсунов Икромжон Гуламжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Ёдгорова Дилбара Мустафаевна, техника фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: киришма атомларининг консентрацияси  ~1020 см-3 гача бўлган бор ва фосфорларнинг диффузийаси ҳисобига яратилган п+ ва н+ кремний қатламларига икки, уч ва тўрт қатламли Ау-Ти, Ау-Ти-Пд, Ау-Пт-Ти-Пд, Ау-Ти-ТиБх-Ти ва Ау-Ти-ТиНх-Ти омик контактларни ҳосил қилишнинг физик асосларини ишлаб чиқишдан иборат..
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
фосфорни ρ~7,5 Ом·см бўлган н-Си асосга диффузийа ёки имплантация қилиш натижасида ҳосил бўлган н+–н-Си легирлаш босқичи билан шаклланган Ау-Ти–Пд2Си-н+-н-Си омик контакт тизимида ўлчов ҳарорат ортиши билан ортиб борувчи ρc солиштирма контакт қаршилиги қийматига эга. Иккала турдаги намуналарда ρc бутун ўлчанган ҳарорат оралиғида квадратикга яқин қонун бўйича ортиб бориши кўрсатилган;
Ау-Ти–Пд2Си-н+-н-Си контакт тизимида н+-қатлам ва н-Си асос ўртасидаги ажратиш чегарасида кам легирланган соҳада металл шунтлар бўйича токнинг аномал ўтказувчанлиги ва тўйинтирилган эгилишни амалга ошириш ўртасидаги боғлиқлиги, шунингдек юқори омик Си қатламининг юпқа контакт олди н-соҳасининг мавжудлигининг тахмини келтирилган;
600 оC гача бўлган термик ишловда омик контактларнинг физик-кимёвий хусусиятлари ва электр параметрлари ўзгармаган ҳолда, 1500C гача қиздирилган н+-Си асосда шаклланган Ау-Ти-ТиБх-Ти-н+-Си контакт структурасининг контакт қаршилигининг паст қиймати, металл-металл ва металл-Си бўлим чегарасида ўзаро та'сирларнинг ё'қлиги билан аниқланган юқори термал барқарорлиги кўрсатилган;
қиздирилган н+-Си асосда шаклланган титан силициди, ТиБх диффузия тўсиг'и ва қўшимча Ти қатламига эга контакт тизими асосга титан пуркалганда силисид ҳосил бўлиши туфайли минимал контакт қаршилиги ~2,110-6 Омсм2 қийматига эришади ва 400°C ҳароратда тезкор термал тобланиш компонентларнинг тақсимлаш режимларини ўзгартирмасдан омик контактларнинг электр хусусиятларига деярли таъсир этмаслиги кўрсатилган;
титан бориди ва титан нитриди асосидаги антидиффузия қатламига эга контакт тизимларнинг солиштирма контакт қаршилиги 600оC гача бўлган ҳарорат оралиғида тез термик тобланиш натижасида ўзгармаслиги кўрсатилган;
ф=2,45 ГГc частотада ~1,5 Вт/см2 нурланиш қувватида термал тобланишсиз 2 сек давомида қисқа муддатли микротўлқинли ишлов бериш контакт соҳасидаги нуқсонларни камайтириши эвазига Ау-Ти-Пд2Си-н+-Си омик контактнинг контакт қаршилигини камайишига олиб келиши ўрнатилган;
илк бор нотермал ишлов бериш усули контакт қаршиликнинг ўртача қийматини камайтиришга имкон бериши ва тадқиқ этилаётган пластина юзаси бўйлаб қаршиликнинг бир жинсли тақсимланишига ёрдам бериши кўрсатилган.
   IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремний диодли структуралар учун кўп қатламли омик контактларни шакллантириш бўйича илмий тадқиқотлар натижаларига кўра фойдали модел учун 3 та патент олинди: "н+-кремнийга оҳмик контактни ишлаб чиқариш учун иситилмайдиган усул" (УА №101023 25.08.2015 Бюл. №16), кремний асосининг юзасини тозалаш ва қошимча 1-3 сония давомида 2,45-24 ГГc частотада 1,5-7,5 Вт/см2 қувватга эга микротўлқинли ишлов беришни амалга ошириш натижада Ау-Ти-Пд2Си-н+-Си омик контакт тизими олинди; "Иссиқликка чидамли металл-Си контакт тизимларини ишлаб чиқариш усули" (УА № 106825 10.05.2016 Бюл. №9), бу ўз ичига кремний асосининг сиртини тозалаш, шунингдек, қалинлиги 10-30 нм бўлган титан контакт ҳосил қилувчи қатламини магнетронли пуркаш усули билан иссиқликка бардошли металл-Си контакт тизимини яратишга имкон беради; "А3Б5 типидаги яримўтказгичли бирикмалар учун тўсиқли контактларни ишлаб чиқариш усули" (УА №103551 25.12.2015 Бюл. №24), натижада,  асос юзасини тозалаш, 450-550°C ҳароратда тезкор термал ишлов бериш, шунингдек контактли қатламларни қалинлиги 50÷200 нм бўлган квазиаморф ТиБх плёнкасини ~0,4 А оқимда магнетронли пуркаш билан шакллаҳтириш ва қўшимча микротўлқинли ишлов бериш А3Б5 типидаги яримўтказгичли бирикмалар учун тўсиқли контакт олиш имконини беради; шунингдек, “ЎЗЕЛТЕХСАНОАТ” акциядорлик жамиятида яримўтказгичли эпитаксиал структураларлар ва п-н ўтказгичли тўғриловчиларни ишлаб чиқишда ҳам жорий қилинган (“ЎЗЕЛТЕХСАНОАТ” АЖ 13.04.2024 йилдаги 01-21-04/352-сонли маълумотнома). Илмий натижалардан фойдаланиш қурилмаларнинг барқарорлиги ва ишончлилигини ошириш имконини берувчи эрта деградация жараёнларининг олдини олиш имконини берган.