Ўроқов Азимжон Нарзуллаевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Наноструктурали силикат шишаларни олиш ва уларнинг физик хусусиятларини ўрганиш”, 01.04.04 – физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.2.PhD/FM469.
Илмий раҳбар: Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Урганч давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи PhD.03/30.09.2020.FM.55.04 Рақамли илмий кенгаш
Расмий оппонентлар:
Исаханов Зинаобидин Абилпейзович, ф.-м.ф.д., катта илмий ходим.
Курбанов Музаффар Кадамбаевич, ф.-м.ф.н. доцент, Техника факултети декани.
Йетакчи ташкилот: Фарғона политехника институти
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Диссертация ишининг мақсади: Легирланган силикат шиша ва юқори ҳароратли ўта ўтказувчан материалларини таркиби, структураси ва физик хусусиятларининг ўзгариш қонуниятларини экспериментал ўрганиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор компонентларнинг шиша юзасида тақсимланиши сезиларли даражада бир хил эмаслиги микроскопия усуллари билан кўрсатилган, яъни легирлашдан сўнг рутеин атомлари сиртда аниқланмаслиги ва улар асосан шишанинг сирт ости қатламига сингиб кетиши аниқланган;
Т = 300 - 700 К ҳарорат оралиғида легирланган силикат шишанинг қаршилиги Р ва термо ЭЮК С лар сезиларли даражада ўзгармаслиги кўрсатилган, Т = 700 - 1200 К оралиғида эса Р(т) ва С(т) боғлиқликлари сакрашга ўхшаш хусусиятга эга бўлиб, бу структуравий ўтишларнинг пайдо бўлиши билан изоҳланиши билан 300-1200 К оралиғида намуналарнинг қаршилиги ва термо ЭЮК коеффицентини ҳароратга боғлиқлигини юқори аниқликда автоматик тарзда ўлчаш имкон берадиган Ардуино Дуе микроконтроллер платаси ва МАХ31856МУД+ кучайтиргич асосида ўлчаш қурилмаси яратилиш натижасида мазкур оралиқ 77 К гача кенгайтирилган;
Т = 800 К бўлган легирланган силикат шишаси совиганда 1-2 нм оʻлчамдаги нанокристаллар ҳосил боʻлиши коʻрсатилган ва биринчи марта Ба+ ионлари билан имплантация қилинган CуОЙ2О3БаО нинг тақиқланган зона кенглини 9 марта ошиши, СиО2 + ПбО силикат шишасида эса 2,5 марта камайишига олиб келиши коʻрсатилган;
CуОЙ2О3БаО га Е0 = 0,5 кеВ энергияли Ба+ ионлари имплантация қилгандан сўнг сиртда қалинлиги 30 – 40 Å бўлган CуО0.5Й0.5ОБа3О2 туридаги наноплёнкалар шаклланиши аниқланиши натижасида ўта ўтказгични Т=80 К гача совутилганда фотоелектрон чиқиш ишининг ортиши (~ 0,5 эВ га) ва эмиссия самарадорлигининг камайиши кузатилган.
IV.Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Легирланган силикат шишалар ва юқори ҳароратли ўта ўтказгичларни яратиш, шунингдек, ион имплантацияси жараёнида уларнинг иссиқлик ўтказувчанлиги, таркиби, валент электронларнинг ҳолатлар зичлиги, энергетик зоналар параметрлари, битта қисман ғалаёнлашиш энергияси ва плазмон тебранишларидаги ўзгаришларни ўрганиш бўйича олинган илмий натижаларга асосида:
“Метал оксидлари билан легирланган силикатларда термоелектрик хоссалар ва ўз-ўзини ҳосил қилиш жараёнлари” Узб-Инд-2021-78 лойиҳасининг илмий-техникавий вазифаларини амалга оширишда (Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий унивеиситетидан 2024 йил 26 январдаги 01/11-815-сонли маълумотнома), хусусан юқори қувватли энергетикада, плёнкали силикат шишаларида кенг фойдаланиш учун мўлжалланган легирланган силикат шишалар ва ЙҲЎЎ материаллардан самарали ва арзон термоелектрик материаллар яратиш йўлларини аниқлашда самарали қўлланилди. Термоелектрик ҳодисаларга асосланган замонавий тензометрик датчиклар яратиш бўйича тавсиялар берилган;
янги термоелектрик материалларни яратиш бўйича олинган натижалар “Кварц” ОАЖ да қўлланилганда (2024 йил 7 майдаги “Кварц” ОАЖ маълумотнома) лист кўринишидаги рангли, қорайтирилган ва тобланган ойналар, ҳамда бошқа турдаги шиша маҳсулотларини ишлаб чиқаришда маҳсулотларни сифатини, мустаҳкамлигини ва ишлаб чиқариш самарадорлигини ошириш имконини берган..