Yuldashev Abror Abduvasitovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Spektrning optik sohasi uchun generator tipidagi foto qabul qilgich ishlab chiqish» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.1.PhD/T2594
Ilmiy rahbar: [Naymanbaev Raxmonali], fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Farg‘ona davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Zaynabidinov Sirojiddin Zaynabidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Qo‘ldashov Obbozjon Xokimovich, texnika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Termiz davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: nurlanishning optik sohasida sezgir yarimo‘tkazgich yupqa pardalarda kuzatiladigan fotoelektrik hodisalar va ular asosida avtonom rejimda ishlovchi, muqobil energiya manba qurilmalarni yaratishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Ilk bor, anomal fotokuchlanish vakuumda yarimotkazgich materialni (CdSe, CdS, CdTe) 250S atrofida qizdirilgan dielektrik asosga termik bug‘latish yo‘li bilan olingan, molekulyar oqim yo‘nalishida stolbsimon strukturali polikristal yupqa pardalarda hosil bo‘lishi aniqlangan;
bir jinsli bo‘lmagan yarimo‘tkazgichlarda (CdSe, CdS, CdTe) yupqa pardalarga, kuchsiz yorug‘lik kuchlanishi 10-20 kV fotokuchlanish bera oladigan generator yordamida, n-tipidagi yarimo‘tkazgichlar (foto qabul qilgichlar) ishlab chiqlgan;
ilk bor, quyosh yorug‘ligining issiqlik, yorug‘lik va magnit ta’asirlaridan foydalanib 1000V dan ortiq kuchlanish hosil qilish imkoniyatiga ega geliooptron (foto qabul qilgich) qurilmasi ishlab chiqilgan;
ilk bor, yorug‘lik nuri ta’sirida yuqori elektr maydoni hosil qiladigan (AFK – elementi) yarimo‘tkazgich yupqa plonkalari asosida ishlaydigan, ikkita elektron konturi va bitta foton bog‘lanishli optron zanjiridan iborat opto tok kuchaytirgich ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Yarimo‘tkazgichli polikristall yupqa pardalaridan tayyorlangan qayta tiklanuvch energiya manbalari asosida ishlovchi optoelektron qurilmalar yaratish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
polikristall yarimo‘tkazgichli xalkogenid yupqa pardalarda anomal fotoelektrik va anomal fotomagnitoelektrik hodisalarni o‘rganish natijasida polikristallarning super ko‘p qatlamliligi, anomal fotoelektrik va anomal fotomagnitoelektrik hodisalar faqat bo‘ylama effekt bo‘lib, strukturaning qarshiligi o‘ta katta bo‘lgan (> 109 Om) namunalarda kuzatilishi bo‘yicha olingan ilmiy tadqiqot natijalaridan Namangan muhandistlik – qurilish institutining “Fizika” kafedrasida 2017-2020 yillarga mo‘ljallangan OT-F2-71 “O‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydondagi deformatsiyalangan p-n o‘tish volt-amper xarakteristikasiga yorug‘likning ta’sirini tadqiq etish” mavzusidagi fundamental davlat loyihasida foydalanilgan. (Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2022 yil 21 fevraldagi 3/19-21/02-40 - son ma’lumotnomasi); Natijada yarimo‘tkazgichli zarrachalar negizida fotoelektrik materiallar olish texnologiyasi va materiallarning termoelektrik xossalari optimallashtirilgan;
gibrid geliooptron yordamida yuqori kuchlanishli elektr maydoni quyosh radiatsiyasi vositasida olinadi. Bu elektr maydonini molekulyar oqimlarni saralash tizimlarida foydalaniladi. Jumladan: rudalarni dastlabki tozalash tizimida, kvant guruhi asboblarini saralash blokida, elektr maydoni manbasi sifatida va medisina qurilmalari avtonom elektr maydon manbasi vazifasini bajarishi bo‘yicha ishlab chiqilgan tavsiyalar “FOTON” aksiyadorlik jamiyati amaliyotiga joriy etilgan (“O‘zElTexsanoat” AJ uyushmasining 2022-yil 15 fevraldagi 04-3/288 son ma’lumotnomasi). Natijada tajribaviy na’munalardagi elektrotexnik asboblarni elektrofizik parametrlarini ~10% yaxshilash imkonini bergan.