Isakov Bobir Olimjonovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida (Si)1-x(GaSb)x tuzilmalarni hosil qilish va ularni kremniyning optik xossalariga takj’siri”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi”(fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.4.PhD/FM732
Ilmiy rahbar: Iliev Xalmurat Midjitovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: “Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika instituti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Nuriddinov Izzatillo, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Radjapov Sali Ashirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalarni hosil qilish va ularni kremniyning optik xossalariga ta’sirini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalarni hosil bo‘lishining maqbul termodinamik sharoitlari aniqlangan;
ilk bor diffuziya usuli yordamida, Ga va Sb kirishma atomlari ishtirokida kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalarni hosil bo‘lishi tajribada aniqlangan;
kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida hosil bo‘lgan (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali yangi tuzilma Si–0.44 va (GaSb)–0.56 ulushga (ya’ni Si0.44(GaSb)0.56) ega ekanligi aniqlangan;
Si0.44(GaSb)0.56 qattiq qorishmali tuzilmaning kristall panjara parametrlari, miller indeksi (111) yo‘nalishda, kristall panjara doimiysi  Å kremniyning kristall panjara doimiysi (5,43 Å)dan ~4,4% katta ekanligi aniqlangan;
Si0.44(GaSb)0.56 qattiq qorishmali tuzilmani taqiqlangan soha energiyasi  , kremniyning taqiqlangan soha energiyasidan 20% kichik ekanligi optik usulda aniqlangan;
diffuziya usulida Ga va Sb kirishma atomlari bilan legirlangan kremniyning fotoelektrik sezgirligi yorug‘lik nurining infraqizil sohasi tomonga siljishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Mazkur dissertatsiya ishining ilmiy tadqiqot natijlaridan foydalanish quyidagilarga imkon bergan:
“Kremniy sirtida va sirt oldi qatlamida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalarni hosil qilish va ularni kremniyning optik xossasiga ta’siri” mavzusidagi dissertatsiya ishini «FOTON» akstiyadorlik jamiyati ko‘rib chiqdi (“O‘zeltexsanoat” uyushmasining 2023 yil 07 dekabrdagi 04-3/1703 sonli ma’lumotnomasi asosida). Dissertatsiya ishini bajarishda yaratilgan texnologiya va olingan ilmiy yangiliklar “FOTON” AJ (2023 yil 04 dekabrdagi 234-sonli ma’lumotnomasi asosida) ishlab chiqarishga joriy etilgan.
Tarkibida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalar mavjud kremniydan yasalgan tranzistorlarning, ishlash tezligi tarkibida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qotishmali tuzilmalar mavjud bo‘lmagan kremniyga nisbatan tezkorligi 1,5 marotabaga oshishiga olib keldi.
Tarkibida (Si)1-x(GaSb)x qattiq qorishmali tuzilmalar mavjud kremniy asosida yasalgan quyosh elementining samadorligini boshlang‘ichiga nisbatan 3,7 % gacha oshirishga olib keldi.
Kirishma atomlarini kremniydagi taqsimotini MathCad dasturi yordamida yaratilgan matematik modelidan Qarshi davlat universitetida 2019-2021 yillarda bajarilgan “Qarshi davlat universiteti va Qashqadaryo viloyatidagi ishlab chiqarish korxonalari o‘rtasida talabalarni o‘qitish sifatini yaxshilashga qaratilgan munosabatlarni mustahkamlash” mavzusidagi loyihani bajarish doirasida, foydalanilgan.