Abduvayitov Akbarjon Abdumajidovichning
doktorlik (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
l Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Turli tabiatli materiallar asosida ko‘p qatlamli nanostrukturalar olish, ularni elektron va optik xossalarini o‘rganish”, 01.04.04 - Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2023.4.DSc/FM241.
Ilmiy maslahatchi: Tashmuxamedova Dilnoza Artikbaevna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti huzuridagi DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 raqamli Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar:
Usmanov Dilshadbek Tursunbaevich, fiz.-mat. fanlari doktori, professor;
Kremkov Mixail Vitalevich, fiz.-mat. fanlari doktori, professor;
Tashatov Allanazar Karshievich, fiz.-mat. fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomli O‘zbekiston Milliy universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Dissertatsiya ishining maqsadi Ti, CdTe, CdF2, CaF2 asosidagi ko‘p qatlamli tizimlarni olish va shakllanish qonuniyatlarini o‘rganish, hamda atomlarni adsorbsiya va gaz, metall ionlarini implantasiya qilib, ularning elektron va optik xususiyatlarining o‘zgarish mexanizmlarini yoritish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
- Polikristall Ti namunasiga O2+ ionlarini implantatsiyasi va keyingi qizdirish natijasida olingan qalinligi 25-30 Å bo‘lgan TiO2 plyonkasining valent elektronlar zonasining zichligi va energetik zona parametrlari aniqlandi.
- birinchi marta CdTe namunasiga energiyasi 10 dan 40 keV gacha bo‘lgan faol metall ionlarining maksimal kirib borish chuqurligi va ularning taqsimlanish profillari eksperimentda aniqlandi. Olingan natijalar nazariy hisoblangan ma’lumotlar bilan taqqoslandi.
- CdTe plyonkasiga kichik energiyali (E0 ≤5keV) Mg+ va O2+ ionlarini implantatsiyasi, keyingi qizdirish ta’siri natijasida ularning elektron strukturasining o‘zgarishlarini asosiy mexanizmlarini izohlash va uch komponentli CdMgTe/CdTe va CdTeO3/CdTe plyonkalarining asosiy shakllanish qonuniyatlarini o‘rganildi.
- birinchi marta MNE plyonkalari CaF2 va CdF2 yuzasini elektron va Ar+ ionlari bilan bombardimon qilishda ularning yuzasini morfologiyasi, tarkibi va fizik xususiyatlariga ta’siri o‘rganildi. Cd/CdF2/Si va Ca/CaF2/Si tipidagi uch qatlamli tizimlarni olishning optimal shartlari aniqlandi.
- birinchi marta CdF2 plyonkasiga Mg+ ionlarini implantatsiyasi va keyingi qizdirish orqali Cd1-xMgxF2 nanoplyonkasi olindi. Mg+ ning turli xil tarkibiga ega bo‘lgan CdMgF2 ning elektron holatlarining zichligi va energetik zona parametrlari aniqlandi.
- birinchi marta uch qatlamli Ni-GaP-SnO2 tizimining tarkibidagi kirishma atomlar va ularning chuqurlik bo‘yicha taqsimoti aniqlandi. Metall-yarim o‘tkazgich chegarasida kislorod atomlarini mavjudligi nikel kontaktining qisman oksidlanishiga olib keladi va shunga mos ravishda uning qarshiligini ortishi ko‘rsatildi.
- Ni–CdS-SnO2 tizimining chegarasida asosiy va kirishma atomlarning tarqalish taqsimoti o‘rganildi. CdS yuzasida mavjud bo‘lgan kirishma atomlari metall plyonkasiga diffuziya orqali tarqalishi ko‘rsatildi. CdS tarkibidagi nazorat qilib bo‘lmaydigan kirishma atomlarining Ni ga kirib borish chuqurligi ~300–400 nm ekanligi aniqlandi. Xususan, kontakt sohasida kislorod konsentratsiyasi 8-10 at.% gacha ortishi, bu NiO va NiO2 tipidagi birikmalar hosil bo‘lishiga olib keladi.
- Al-Si tizimi chegarasida nazorat qilib bo‘lmaydigan kremniydagi kirishma atomlarining alyuminiyga kirib borish chuqurligi ~300–400 nm ekanligi aniqlandi.
- birinchi marta, CdS plyonkasini Ar+ ionlari bilan bombardimon qilish orqali, uning yuzasida ultra yupqa kontaktlarni olish imkonini berishi ko‘rsatildi.
IV.Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Turli tabiatli materiallar asosida ko‘p qatlami nanostrukturalar olish, ularni elektron va optik xossalarini o‘rganishda olingan ilmiy natijalar asosida:
turli tabiatdagi materiallar asosida ko‘p qatlamli nanostrukturalarni olish va ularning tarkibi, elektron va optik xossalarini o‘rganishni hisobga olish Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universitetida bajarilgan OT-F2-063-sonli “Ion ligerlash usulida olingan qiyin eruvchi materiallar asosidagi qotishmalarning elektron strukturalari shakllanishi mexanizmini tadqiq qilish” fundamental loyihada foydalanilgan. (O‘zbekiston Milliy universiteti rektorining 2024-yil 8-maydagi 01/11-4108-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Oje elektron spektroskopiyasi usuli yordamida olingan turli tabiatdagi materiallar tarkibidagi kirishma atomlarining chuqurlik bo‘yicha taqsimlanishini, elektron va optik xossalarini aniqlash imkonini bergan.
yarimo‘tkazgichlar asosidagi ko‘p qatlamli MDYa va YaDYa geterostrukturalarini olish va ularning elementar tarkibini o‘rganish natijalarini baholash Toshkent davlat texnika universitetida amalga oshirilgan Davlat ilmiy-texnika dasturidagi KA-4-001 raqamli “Kremniy asosida ko‘pqatlamli nanoo‘lchamli MDYa va YaDYa geterostrukturalar olish texnologiyasini yaratish” loyihasini bajarishda foydalanilgan. (ToshDTU rektorining 2024 yil 26 martdagi 01/9–14-372-sonli ma’lumotnomasi). Tadqiqot natijalaridan foydalanish MDYa va YaDYa geterostrukturalarini shakllantirishning optimal rejimlarini olish imkonini bergan.
yarimo‘tkazgichli materiallarga Ba, O, Ni kabi kirishma atomlarini kiritib yorug‘likni keng energiya diapazoni yutuvchi materiallar olish usuli, “O‘zeltexsanoat” AKning “Foton” AJda kirishma atomlar bilan ligerlangan CdTe, CdS, GaP, Si asosida yorug‘likka sezgirligi yuqori bo‘lgan materiallar olishda qo‘llanilgan. (O‘zeltexsanoat AKning 2024 yil 01 apreldagi №04-3/431 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarni amaliyotda qo‘llash, namuna datchiklarining elektrofizik parametrlarini yaxshilash, yarimo‘tkazgichlar sirtida metall kontaktlarining adgeziyasini oshirish imkonini bergan.
