Usmonov Anvarjon Abdiqodir o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Bor va fosfor kirishma atomlarining birikmalari mavjud kremniyning elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlari» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.3.PhD/FM491
Ilmiy rahbar: Mavlonov G‘iyosiddin Haydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar:
Zaynobiddinov Sirojiddin Zaynabidinovich; akademik fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Kremniyda bor va fosfor kirishma atomlarining birikmalarini diffuzion usul bilan hosil qilish va uning elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlarini tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor kremniy kristall panjarasida bor va fosfor kirishma atomlari birikmalari hosil bo‘lishining texnologik bosqichlari AIIIBV va AIIBVI yarimo‘tkazgich birikmalarining Si2BP tuzilishidagi binar elementar birikmali (diffuziya vaqti t=2÷10 soat va harorati T=1000÷1200 ̊C) olingan namunalarda aniqlangan;
ilk bor T=1000÷1200 ̊C harorat oralig‘ida yuqori konsentratsiyada Si2BP tuzilishidagi binar elementar fosfor kirishma atomlari bilan legirlanganda kirishma atomlarining konsentratsiyasi NB=4∙1019 sm-3 dan NB=1,2∙1020 sm-3 gacha oshishiga erishilgan.
zaryad tashuvchilarning harakatchanligi bor va fosfor binar birikmasi mavjud kremniy namunasida fosfor yoki bor kirishma atomlari bilan alohida legirlangan kremniy namunalardagiga nisbattan 2÷3 marta yuqori bo‘lishi Van-der Pau usuli yordamida yarimo‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanligi va yarimo‘tkazgichlarning turini, olingan namunalarda aniqlangan;
ilk bor, kremniyni bor va fosfor kirishma atomlari bilan ketma-ket ligerlab kremniy panjarasida bor-fosfor kirishma atomlaridan tashkil topgan birikmalarni diffuziya usuli yordamida hosil qilish orqali man qilingan sohasi Shimadzu-1900i spektrometrda o‘lchanganda E=1,1932 eV ga teng bo‘lgan yangi xususiyatli material oligan;
ilk bor monokristall kremniy hajmida hosil bo‘lgan binar birikmalarda bor va fosfor atomlari o‘rtasidagi o‘zaro bog‘lanish energiyasining qiymati T=1200 ̊C harorat uchun E=0.59 eV ga teng bo‘ldi hamda Si2BP tuzilishdagi binar elementar yacheykalarni hosil bo‘lishi Rentgen va Raman spektrometr qurilmalari yordamida tadqiq qilish orqali aniqlangan;
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy kristall panjarasida bor va fosfor kirishma atomlarining binar elementar yacheykalarini hosil qilishda yaratilgan texnologiyadan foydalanib:
Bor va fosfor kirishma atomlarining birikmalarini kremniyni elektrofizik, fotoelektrik va optik xususiyatlaridan olingan natijalarni «FOTON» aksionerlik jamiyatida yarimo‘tkazgichli diodlar, teristir va tranzistorlar ishlab chiqarishda qo‘llanilmoqda. («Uzeltexsanoat» uyushmasining 2022-yil 28-dekabrdagi № 04-3/2742-son ma’lumotnomasi). Dissertatsiyada olingan natijalarni texnologik jarayonga qo‘llanilib, tezkorligi yuqori bo‘lgan tranzistorlarni ishlab chiqarish va nazorat qilish imkonini bergan;
Olingan ilmiy natijalardan Samarqand davlat universiteti Qattiq jismlar fizikasi kafedrasida 2017-2021 yillarda bajarilgan OT-F2-37 - raqamli “Gaz aralashmasini tovushdan tez oqimidan foydalanib metallarni eritish g‘ovak metallar olish va ularning fizik xossalarini tadqiq qilish” mavzusidagi fundamental loyihani bajarishda foydalanilgan (“O‘zbekiston Respublikasi Oliy taʼlim fan va innovatsiyalar” vazirligining 2023-yil 22-fevraldagi 89-02-87-son maʼlumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi metall-shisha-yarimo‘tkazgich asosidagi elektron qurilmalarning radiatsiyaga chidamliligini 10-13% oshirish imkonini bergan.