Bekpulatov Ilxom Rustamovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Nanoo‘lchamli metall silisid plyonkalar olish va ularning fizik xossalari», 01.04.04–Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM98.
Ilmiy rahbar: Risbaev Abdurashit Sarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Rasmiy opponentlar: Ashurov Xotam Baxronovich, texnika fanlari doktori, katta ilmiy xodim; Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Kremniy monokristalliga kichik energiya va katta dozalarda ionlar implantatsiyasi va keyingi termik ishlov berish orqali yupqa nanoo‘lchamli silisid metall plyonkalarni hosil qilish hamda ularning tarkibi va elektrofizik xususiyatlarini kompleks aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
kremniy monokristallarning yuza qatlamlariga aktiv metallarning ionlarini implantatsiya qilish va keyingi qizdirish usuliga asoslangan kremniy yuzasini yuqori darajada tozalash imkonini beradigan usul ishlab chiqilgan;
kremniy yuza qatlamlarining tarkibiga va kristall tuzilishiga kichik energiyali (0,5÷5 keV) Li+, K+, Na+, Rb+, Cs+, Ba+ ionlari implantatsiyasining ta’siri aniqlangan;
Li, K, Na, Rb, Cs, Ba yupqa monokristallik silisid plyonkalarni ionli implantatsiya va keyinchalik termik qizdirish usuli bilan hosil qilishning optimal texnologik rejimlari aniqlangan;
silisid plyonkalar xususiyatlarining aynigan yarimo‘tkazgichlarga o‘xshashligi, elektr o‘tkazuvchanligining haroratga chiziqli bog‘liqligi ko‘rsatilgan;
r-tipli Si(111) monokristalliga 1,5 keV energiyada 1016 sm-2 doza bilan V+ ionlarining kiritilishi Na atomlarining maksimal kirish chuqurligini 30% ga kamaytirishi va chegaraviy o‘tish qatlami kengligining legirlash va qizdirishda kamayishi aniqlangan;
yuqori sezgirlikka ega rastrli elektron mikroskopiya usuli bilan kremniyda 1015 sm-2 doza bilan Rb+ ionlarini implantatsiya qilish va keyingi 600 K da qizdirishdan so‘ng 10–30 nm o‘lchamli RbSi orolchalarga aylanishi ko‘rsatilgan, doza oshishi bilan bu orolchalar yirik monokristall orolchalarga aylanishi hamda dozani 6·1016 sm-2 ga oshirish va 900 K gacha qizdirish natijasida orolchalar chegaralarining bir-biriga qo‘shilib, yaxlit rubidiy silisidi plyonkasining hosil bo‘lishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Nanoo‘lchamli metall silisid plyonkalar olish va ularning fizik xossalarini aniqlash asosida:
kremniy monokristalli yuzasini tozalash usuli Rossiya Fanlar akademiyasi A.V.Shubnikova nomidagi kristallografiya institutining «Kristallografiya va fotonika» ilmiy laboratoriyasida Si(111) va Si(100) monokristallarning atomli toza va yuqori sifatli kristallografik strukturaga ega yuzasini olishda foydalanilgan (Rossiya Fanlar akademiyasining 2018 yil 15 yanvardagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish termoelektrik materiallarning parametrlarini yaxshilash imkonini bergan;
kremniy monokristallining yuzasiga ion implantatsiya qilish va keyinchalik termik qizdirishdan iborat yangi tozalash usuli va nanoo‘lchamli metall silisid plyonkalar hosil qilish texnologiyasi bo‘yicha olingan natijalar F2-41 raqamli «Turli tabiatli materiallar (metallar, yarimo‘tkazgichlar va dielektriklar)da ionlar implantatsiyasidagi kuchlangan qatlamlar va nanoo‘lchamli tuzilishlar hosil bo‘lishi, atomlarni kiritish, sochilish jarayolarini nazariy va eksperimental tadqiq qilish» loyihasida elektron oje spektroskopiya usuli bilan yuzani qatlam va qatlam Ar+ ionlar bilan changlatish yordamida atomlarning chuqurlik bo‘yicha konsentratsion taqsimotini olishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 4 dekabrdagi FTA–02–11/1246-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish atomlarning chuqurlik bo‘yicha taqsimotlarini olish imkonini bergan.
