Turekeev Xojaaxmetjan Sabi’rbaevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniyda fosfor va galliy binar birikmalarining shakllanishini boshqarish”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.3.PhD/FM488
Ilmiy rahbar: Zikrillaev Nurullo Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Mamadalieva Lola Kamiljanovna, texnika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: O‘zR FA Fizika-texnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi kremniy asosida fosfor va galliy kirishma atomlarining binar birikmalarini hosil qilish va ularning elektrofizik, fotoelektrik va optik xossalarini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor kristall panjarasida fosfor va galliy kirishma atomlariga ega bo‘lgan monokristall kremniy asosida Si2GaP binar birikmalarini olish texnologiyasi ishlab chiqilgan;
ilk bor T=1000÷1250 °C harorat oraligʻida fosfor bilan qo‘shimcha legirlangan n-Si ga galliy kirishmasi diffuziya qilinganda galliy atomlarining konsentratsiyasi fosforsiz namunalarga nisbatan 6-10 marta oshishi aniqlangan;
galliy va fosfor kirishma atomlari bilan legirlangan kremniyda elektronlarning harakatchanligi faqat fosfor kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy namunalariga qaraganda 2÷3 baravar kam ekanligi aniqlangan;
kremniyda binar birikmalarning mavjudligi Si2GaP birikmali kremniy asosida yaratilgan fotoelementlarning (λ=380÷760 nm) sezgirlik spektral diapazonining kengayishiga olib kelishi aniqlangan;
ilk bor fosfor va galliy atomlarining binar birikmalari asosida geterovarizon strukturali barqaror parametrlarga ega yuqori samarali fotoelementlarni tayyorlash bo‘yicha tavsiyalar ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Fosfor va galliy kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy asosida yaratilgan fotodiodlarning spektral sezgirligi diapazonini kengaytirish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
ishlab chiqilgan kremniy panjarasida yangi turdagi Si2GaP birikmalarni olish texnologiyasi «FOTON» aksiyadorlik jamiyati tomonidan qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» uyushmasining 2022 yil 28 dekabrdagi 04-3/2744-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish «FOTON» AJ da qo‘llash asosida fosfor va galliy atomlarining binar birikmalarini o‘z ichiga olgan monokristall kremniy asosida yaratilgan fotodiodlarning spektral sezgirligi diapazonini kengaytirishga erishilgan. Ishlab chiqilgan diffuziya texnologiyasidan
foydalanish energiya sarfini tejashga va kirishma atomlarining diffuziya vaqtini kamaytirishga imkon bergan;
dissertatsiyani bajarishda olingan ilmiy natijalardan Samarqand davlat universiteti Qattiq jismlar fizikasi kafedrasida 2017-2021 yillarda OT-F2-37-raqamli “Gaz aralashmasini tovushdan tez oqimidan foydalanib metallarni eritish, g‘ovak metallar olish va ularning fizik xossalarini tadqiq qilish” mavzusidagi fundamental loyihani amalga oshirishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligining 2023 yil 22 fevraldagi 89-02-86-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish barqaror parametrlarga ega, fosfor va galliy atomlarining binar birikmalari asosidagi geterovarizon strukturali yuqori samarador fotoelementlarini olish imkonini bergan.