Sayfulloyev Shohruh Amin o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Ion legirlash yordamida kremniyda FeSi2 va CoSi2 silisidini hosil qilish mexanizmlarini tadqiq qilish”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.2.PhD/FM477
Ilmiy rahbar: Egamberdiyev Baxrom Egamberdiyevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdug‘ofir Teshaboyevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Abduraxmanov Qaxxor Pattaxovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Namangan muhandislik-qurilish instituti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi Ion legirlash yordamida kremniyda FeSi2 va CoSi2 yupqa qatlam silisidlarini hosil bo‘lish mexanizmlarini o‘rnatish
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
birinchi marta kremniyning sirtiga yaqin sohalarda, energiyasi 40 KeV, dozalari 1015 – 1017 sm-2 oraliqda bo‘lgan Fe va Co ionlarini implantatsiyalash orqali, qalinligi 100Ǻ bo‘lgan temir va kobalt atomlarining yupqa qatlamlarini hosil qilish va implantatsiyadan keyin 8000C haroratdan yuqori haroratlarda termik ishlov berish orqali silisid qatlamlarini hosil qilish texnologiyasi yaratilgan; 
energiyasi 40 keV va 1015-1017 ion/sm2 nurlanish dozasiga ega bo‘lgan Fe ionlari bilan ion implantatsiyasi orqali legirlangan Si monokristallarini legirlashda Si sirtidan 350-450 Å chuqurlikda Fe atomlarining konsentratsiyasi yuqori qiymatga erishib, sirt konsentratsiyaning 2530 at.% ni tashkil etishi RTS spektri tahlili asosida aniqlangan; 
1015-1017 ion/sm2 nurlanish dozasiga ega bo‘lgan Fe ionlari bilan ion implantatsiya orali Si namunalarini legirlashda kengligi d  100 Å bo‘lgan qatalmda hosil bo‘lishi va bu qatlam asosan FeSi2 tipidagi birikmalardan iborat ekanligi aniqlangan; 
Co+ ionlari bilan implantatsiyalangan kremniy 8000C dan yuqori haroratlarda qizdirilganda CoSi2/Si yupqa qatlamlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
kremniy namunalarini katta dozalarda (1015-1017 ion/sm2) Co+ ionlari 
bilan ion-implantatsiya qilinganda 9500C haroratdan yuqori haroratlarda termik ishlov berish orqali CoSi2 silisid qatlamlarini hosil bo‘lishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniyning ion-implantatsiya qilingan namunalarining qisqa muddatli termik toblanishi natijasida kuzatiladigan yangi sirt usti tuzilmalari shakllanishining mexanizmlari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
Kobalt bilan ion-implantatsiya qilingan kremniyda barqaror elektrofizik parametrlarga ega bo‘lgan boshqariladigan nano o‘lchovli tuzilishga ega yarimo‘tkazgich materiallarni olish mexanizmlarini aniqlashga kobalt kremniy yupqa plyonkasining haqiqiy elektron tuzilishini aks ettiruvchi energiyaviy diagrammasini olish, kobalt kremniy yupqa plyonkasining energetik xarakteristikalarini aniqlash ekanligidan O‘zbekiston Respeblikasi Fanlar Akademiyasining Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutida № OT-F3-13 “Kremniy–silisid–metall erkin ko‘pqatlamli nanoplyonkali strukturalarning shakllanish mexanizmlari va ularning elektron va kristall strukturalarini o‘rganish” amaliy loyihasining “Turli texnologiyalar yordamida olingan CoSi2 plyonkalarining asosiy energetik xususiyatlarini aniqlashda” foydalanilgan (O‘zR FA ning 2022-yil 7-noyabrdagi №2/1255-2798-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan barqaror elektrofizik parametrlarga ega bo‘lgan boshqariladigan nano o‘lchovli tuzilishga ega yarimo‘tkazgich materiallarni olish mexanizmlarini aniqlashga imkon bergan.
 O‘tish elementlarining kirishmalari bilan kremniyni legirlashning fizik va kimyoviy jihatlari va texnologiyasi ishlab chiqilgan, temir silisidlarining Si 2p elektronlarining bog‘lanish energiyalarining belgilangan qiymatlari asosiy sathlarining fotoelektron spektroskopiya usulini amaliy qo‘llash, oksidli qatlam ostiga temir va kobalt atomlarini singishi “FOTON” AJda ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli kremniy asosidagi elektron qurilmalarda foydalanilgan (“O‘zeltexsanoat” aksiyadorlik jamiyatining 2022 yil 24 yanvar oyidagi №04-3/128 ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish sezgir elektron qurilmalar va tuzilmalar, foto sezgir qurilmalar, tranzistorlar, past qarshilikli kontaktlarni yaratish uchun ishlatilishi mumkinligi ko‘rsatilgan.