Muzafarova Sultanpasha Anvarovnaning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Polikristall yupqa katlamli tellurid kadmiy asosidagi yorug‘lik sezuvchi qurilmalarning elektrofizik va optik xossalari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.1.DSc/FM175
Ilmiy maslahatchi: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasalar nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Zaynabidinov Sirojiddin Zaynabiddinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Otajonov Salimjon Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Dauletmuratov Boribay Koptleuovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Namangan muxandislik-texnologiya instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: yupqa qatlamli polikristalli CdTe plyonkalar va ular asosidagi ko‘p qatlamli fotosezgir qurilmalarning elektrofizik va optik xususiyatlarini tadqiq qilish hamda ularni yangi qattiq jismli elektron qurilmalarda foydalanish bo‘yicha tavsiyalar ishlab chiqish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor vodorod oqimida gazni tashish reaksiyasi orqali optimal chiqish parametrlariga ega polikristalli CdTe ning yupqa qatlamlarini olish texnologiyasi ishlab chiqilgan va CdTe plyonkasining o‘sish tezligi bug‘lanish manbai Tb va tagligi haroratiga Tt xamda tashuvchi gaz (vodorod) oqim tezligiga υ bog‘liqligi aniqlangan;
plyonkaning optimal o‘sish rejimida (Ti = 950 0C Tp = 620 0C va x = 2 l/s) katta donali, birjinsli va mukammal, o‘lchami 20÷60 mikron va solishtirma qarshiligi qiymati 104 Om ·sm ga ega bo‘lgan CdTe qatlami hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan;
kadmiy tellurid asosidagi metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-dielektrik-yarimo‘tkazgich, metall-oksid-yarimo‘tkazgich strukturalari va CdTe/CdS geterostrukturalarni ishlab chiqishning texnologik rejimlari CdTe plyonkalari sirtiga keng zonali SnO2, In2O3, ITO, CdO yarimo‘tkazgich oksidlarini xona haroratida magnetron ionli purkash orqali optimallashtirgan;
SnO2, In2O3, ITO, CdO shaffof qatlamlari va polikristalli CdTe qatlami o‘rtasidagi bo‘linish chegarasida hosil bo‘layotgan qalinligi d = 20÷50 Å ga teng bo‘lgan TeO2 dielektrik qatlami taqiqlangan zona kengligi Eg = (1.92÷3.68 ) eV va panjara doimiysi a= 4.87 Å teng r-tipli yarimo‘tkazgich ekanligi ilk bor aniqlangan;
CdTe plyonkalari sirtiga kadmiy sul`fidining bufer qatlamini vakuumda kvaziyopiq hajmda, taglik harorati Tt = 300 °S da bug‘lantirish CdSxTe1-x ning yuqori kompensatsiyalangan katta qarshilikli (108 ÷109) Om·sm va CdTe/CdS geteroo‘tish chegarasida CdTe va CdS qatlamlarining kristalli panjarasi parametrlaridagi nomuvofiqliklarni bartaraf etishga imkon beradigan o‘tish qatlami shakllanishiga olib kelishi aniqlangan
pCdTe-TeO2 ning bo‘linish chegarasidagi potensial chuqurda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni to‘plash, bo‘linish chegarasidagi sirt holatlariga tushirish va qalinligi 30÷50 Ǻ ga teng TeO2 dielektrik qatlamli potensial to‘siq orqali tunellanishdan iborat pCdTe asosidagi metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich strukturalarda tokning oqish mexanizmi ilk bor aniqlangan;
- nurlanish ta’sirida nurlanish dozasi oshishi bilan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning yashash vaqti τ 10-610-8 s nomonoton ravishda o‘zgarishi va yuqori qarshilikli oraliq qatlam qalinligi struktura chegarasida kengayishi (d 2.62÷7.2 m) tufayli Shottki to‘siqlari, metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-dielektrik-yarimo‘tkazgich, metall-oksid-yarimo‘tkazgich strukturalari va CdTe/CdS asosidagi geterostrukturalarining chiqish xarakteristikalari nomonoton ravishda o‘zgarishi aniqlangan;
olingan fotosezgir Shottki to‘siqlari, metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-dielektrik-yarimo‘tkazgich, metall-oksid-yarimo‘tkazgich strukturalari va CdTe/CdS geterostrukturalarning energetik zona diagrammasi ilk bor qurilgan;
polikristalli CdTe, Shotki to‘siqlar, metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-dielektrik-yarimo‘tkazgich, metall-oksid-yarimo‘tkazgich strukturalari va CdTe/CdS geteroo‘tishlar asosida uzoq xizmat qilish muddatiga ega optoelektron qurilmalarda ishlatish uchun mo‘ljallangan yangi termostabil, fotosezgir fotoqabulqilgichlar va fotoaylantirgichlarni yaratish bo‘yicha tavsiyalar ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Yupqa qatlamli polikristalli CdTe plyonkalari va ularga asoslangan ko‘p qatlamli nurga sezgir tuzilmalarning elektrofizik va optik xususiyatlarini o‘rganish natijalari, shuningdek ularni yangi qattiq holatdagi elektron qurilmalarda ishlatish bo‘yicha tavsiyalar ishlab chiqish asosida:
molibden taglikda olingan CdTe/CdS geterostrukturalarida Mo va CdTe chegarasida molibden dioksidi shakllanishi aniqlangan, hamda ushbu qatlam strukturaning yorug‘likni yutish samaradorligiga ijobiy ta’sir etishi ko‘rsatilgan bo‘lib, dissertatsiya ishida taklif etilgan molibden dioksidini shakilanish texnologik rejimlaridan B.A.Ergashev rahbarligida 2018-2019 yillarda bajarilgan YoFA-Atex-2018-205 «CdSxTe1-x yupqa qatlami asosidagi saralovchi fotoqarshiliklarni ishlab chiqish» mavzusini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zR FA ning 2022 yil 1 fevraldagi №01-54-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish molibden taglikka o‘stirilgan CdSxTe1-x polikristall yupqa qatlamlari asosida fotoqarshiliklar olishda yupqa qatlam va molibden chegarasida molibden dioksidini shakilantirishda va shu asnoda strukturaning fotoelektrik xossalarini yaxishlashga erishilgan. Natajada ushbu materiallar asosida yuqori fotosezgirlikka ega solishtirma elektr karshiligi 106 (Om‧sm) dan 1010 (Om sm) gacha oraliqda o‘zgaruvchi fotoqarshiliklar olishga erishilgan;
shottki to‘siq tipidagi tuzilmalar asosidagi optik qabul qiluvchi datchiklar (Au-nCdTe-Mo), metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-dielektrik-yarimo‘tkazgich, metall-oksid-yarimo‘tkazgich, CdTe/CdS geterostrukturalari asosida tayyorlangan -20÷ 850S temperatura sharoitida 0,40 - 0,95 mikron spektral xususiyatlarga ega datchiklar “FOTON” AJ da qo‘llanilgan (“Uzeltexsanoat” ning 2022 yil 9 fevraldagi №04-3/251-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish “FOTON” AJ da ishlab chiqarilayotgan mikroelektron qurilmalarida uzoq muddatli uzluksiz ishlashga bardoshligini ta’minlagan hamda bu tuzilmalar GOST talablariga to‘liq mos kelishini tasdiqlash imkonini bergan.
MoO3 oksidi bo‘lgan CdTe birikmasi qurilma konstruksiyalarida yorug‘likni yutish samaradorligiga ijobiy ta’sir ko‘rsatishi va bu jarayon Mo taglik va CdTe plyonkalarini hosil qilish jarayonida yagona texnologik siklda sodir bo‘lishi kabi ilmiy yangiliklardan G.Gulyamov rahbarligida 2017-2020 yillarda bajarilgan OT-F-2-70 raqamli “Kuchli elektromagnit maydondagi nanoo‘lchamli yarimo‘tkazgich parametrlariga harorat, deformatsiya va yorug‘likning ta’siri” mavzusini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2022 yil fevraldagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Shottki to‘siqli tuzilmalar va geterostrukturalarining VAX ni haroratga bog‘liqligini aniqlash imkoni bergan.
