Yo‘ldoshov Ruhiddin Tolibovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “ZnxSn1-xSe yupqa qatlamlarining strukturaviy, morfologik, optik va elektrofizik xossalari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.1.PhD/FM283
Ilmiy rahbar: Razikov Taxirdjon Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich fizika-matematika fanlari doktori, professor; Yuldashev Nosirjon Xaydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor. 
Yetakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi camarali quyosh elementlarining talablariga mos keluvchi fizikaviy va optik xossalariga ega bo‘lgan yuqori sifatli ZnxSn1-xSe qattiq qorishma yupqa qatlamlarini olish imkonini beruvchi kimyoviy molekulalar dastalaridan o‘tqazish usulining optimal texnologik rejimlarini aniqlash, hamda ularning strukturaviy, morfologik, optik va elektrofizik xususiyatlarining termodinamik parametrlar bilan o‘zaro bog‘liqlik qonuniyatlarini o‘rganishdan iborat
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor kimyoviy molekulalar dastalaridan o‘tqazish usuli bilan ZnxSn1-xSe qattiq qorishmasining yuqori sifatli polikristall yupqa qatlamlarini o‘stirishning optimal texnologik rejimlari aniqlangan, hamda ZnxSn1-xSe qattiq qorishma tarkibining ZnSe va SnSe birikmalarining bug‘ bosimlari nisbatiga bog‘liqlik qonuniyatlari asosida ushbu qattiq qorishmaning tarkibini boshqarish usullari ishlab chiqilgan; 
taglik harorati 550 °S bo‘lganda ZnxSn1-xSe yupqa qatlamlarining mikrokristallchalari zich joylashgan bo‘lib, ularning o‘lchamlari 5÷10 mkm ekanligi va asosan (h00) yo‘nalishlarida o‘sishi, hamda panjara doimiylarining o‘zgarishi va rentgenogrammalarda 2θ=21,4 gradus qaytish burchagidagi cho‘qqi intensivligining ko‘tarilishi ZnxSn1-xSe qattiq qorishma hosil bo‘lganligini tasdiqlashi ko‘rsatilgan;
olingan ZnxSn1-xSe qattiq qorishma yupqa qatlamlarining yorug‘lik yutish koeffisienti  = 104÷105 sm-1 bo‘lib, to‘g‘ri optik o‘tishlarga mos kelishi va Zn/(Zn+Sn) komponentlarining molyar nisbati 0 dan 0,3 gacha o‘zgarganda ta’qiqlangan soha kengligi 1,01 dan 2 eV gacha o‘zgarishi aniqlangan, hamda ilk bor Zn0.12Sn0.88Se tarkibli qattiq qorishma taqiqlangan sohasining kengligi quyosh elementlari uchun optimal bo‘lgan 1,4 eV ga teng bo‘lishi ko‘rsatib berilgan;  
ZnxSn1-xSe qattiq qorishma tarkibida Zn ning molyar miqdori 0≤x≤0,3 oraliqda ortganda yupqa qatlam elektr o‘tkazuvchanligi σ=15 (Om∙sm)-1dan 4∙10-3(Om∙sm)-1 gacha va asosiy zaryad tashuvchilarining konsentratsiyasi n=1017 sm-3 dan 1014sm-3 gacha kamayishi tugunlararo joylashgan akseptor sath beruvchi Se atomi nuqsonlarining kamayishi bilan bog‘liq ekanligi ko‘rsatib berilgan;
Zn/(Zn+Sn)ning komponentlar molyar nisbati qiymati 0 dan 0,3 gacha o‘zgarganda mikrokristallchalar chegaralararo sochilish markazlarining ortishi natijasida namunalarda asosiy zaryad tashuvchilari xarakatchanligining µ=24 sm2/(V∙sek)dan 10 sm2/(V∙sek) gacha kamayishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. ZnxSn1-xSe yupqa qatlamlarini strukturaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq etish asosida: 
ZnxSn1-xSe yupqa qatlamlarini tarkibidagi SnSe yupqa qatlamini olish va uning strukturaviy, morfologik, optik xossalarini o‘rganishdan olingan natijalarni xorijiy ilmiy jurnallarda (Royal society of chemistry  advances 2020, 10, 16749,  IF: 3.12, Solar Energy Materials and Solar Cells, 221, 110919,2021, IF: 6.98; Vacuum, 177, 2020, 109343, IF: 2.9; Solar Energy, 186, 2019, 29–36, IF: 5.7) SnSe yupqa qatlamlarining elektrofizik, optik xossalarini yaxshilash va ular asosida quyosh elementlarini tadqiqot qilishda foydalanilgan. Ilmiy natijalardan foydalanish havola keltirilgan ilmiy ishlarda SnSe yupqa qatlamlarini elektrofizik xossalarini, hususan, harakatchanlikni oshirish va ular asosidagi quyosh elementlarining samaradorligini oshirish imkonini bergan;
dissertatsiya doirasida ishlab chiqilgan texnologik rejimlar asosida MRB-AN-2019-17 raqamli «Quyosh elementlari uchun keng polosali kompozit teskari qaytaruvchi koplamalarini tadqiq etish» nomli loyihaning ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda ZnxSn1-xSe/ZnO:Al-geterosturukturalar ilk marta olinib, ularning elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq etilgan. (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 8-noyabrdagi 2/1255-3066-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish loyiha doirasida tadqiq etilgan materiallar asosida r-n-o‘tish chegarasida nuqsonlar zichligi kichik bo‘lgan ZnxSn1-xSe/ZnO:Al-geterosturuktura va yuqori samarador yupqa qatlamli quyosh elementlarini olish imkonini bergan.