Tursunov Mamasobir Ochildievichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniy panjarasidagi marganes va VI guruh kirishma atomlarining o‘zaro ta’sirlashuvi», 01.04.07 - Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: -   B2022.2.PhD/FM420
Ilmiy rahbar: Iliev Xalmurat Midjitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Termiz davlat universiteti va Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa (muassasalar) nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, RhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Rasulov Rustam Yavkachovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor. (Farg‘ona davlat universiteti)
Xajiev Mardonbek Ulug‘bekovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, katta ilmiy xodim.  (O‘zFA “Fizika-Quyosh” IIB Fizika-texnika nistituti); 
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik. 
II. Tadqiqotning maqsadi:
Monokristall kremniy panjarasida marganes va VI guruh (O, S, Se, Te) kirishma atomlarining o‘zaro ta’sirlashuvini tadqiq qilish. Olingan binar komplekslarning fizik xossalarini o‘rganish hamda ularni amaliyotda qo‘llanish imkoniyatlarini aniqlashdan iborat. 
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Mn va VI guruh atomlarining monokristall kremniydagi komplekslarini hosil qilishning optimal diffuzion va texnologik sharoitlari tajribalar natijasi asosida aniqlangan. Eng samarali harorat qiymatlari kislorod va marganes atomlari uchun – T=1300 °S, oltingugurt va marganes uchun – T=1100 °S, selen va marganes uchun – T=820 °S, tellur va marganes uchun – T=650 °S ekanligi aniqlangan;
kremniy panjarasida marganes va VI guruh atomlarini o‘z ichiga olgan, Si2MnO, Si2MnS, Si2MnSe va Si2MnTe ko‘rinishidagi yangi komplekslarni hosil qilish imkoniyati ko‘rsatib berilgan;
ilk marta Si2MnSe komlekslari hosil qilingan monokristall kremniy asosida yaratilagan quyosh elementlarida salt yurish kuchlanishi Usyu~12 % va qisqa tutashuv toki Jqt~22 % ga oshishi aniqlangan;
kremniy kristall panjarasida Si2MnO, Si2MnS, Si2MnSe va Si2MnTe komplekslari hosil bo‘lishining fizikaviy mexanizmlari yaratilgan. Mn va VI guruh atomlari uchun Gibbs energiya koeffisienti β =(2÷3)·10-3 eV/°S ga tengligi aniqlangan; 
ilk marta eksperimental aniqlangan komplekslar konsentratsiyasi asosida kremniy panjarasida Mn va VI guruh atomlari orasidagi bog‘lanish energiyalari hisoblangan.
IV.Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy panjarasidagi marganes va VI guruh kirishma atomlarining o‘zaro ta’sirlashuvini tadqiq qilish bo‘yicha olingan natijalar asosida: 
«FOTON» aksiyadorlik jamiyati tomonidan kremniy asosida yuqori sezuvchanlikga ega fotodiodlar ishlab chiqarishda eroziyasiz texnologiya va marganes atomlari va VI guruh elementlari atomlari bilan legirlangan kremniy materiallarini olish uchun ishlab chiqilgan yangi ikki bosqichli diffuzion texnologiya joriy etilgan va ishlab chiqarishda qo‘llanilgan. («UZELTEXSANOAT» aksiyadorlik jamiyatining 2021 yil 29 dekabrdagi 04-3/2817-son ma’lumotnomasi). Tadqiqot ishining ilmiy natijalarini qo‘llash «FOTON» AJ tomonidan kremniy asosida ishlab chiqarilgan diodlar va yarimo‘tkazgich qurilmalarning sezgirligini oshirish imkonini bergan. Natijada ilmiy natijalarni effektivligi 17÷19 % gacha bo‘lgan FVP va FVM (fotovoltaik panellar va modullar) ishlab chiqarish uchun qo‘llash tavsiya etilgan;
kremniy panjarasidagi marganes atomlari va VI guruh elementlari asosida Si2MnBVI turdagi komplekslarni olish uchun ishlab chiqilgan texnologiya «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida qo‘llanilgan («UZELTEXSANOAT» aksiyadorlik jamiyatining 2021 yil 29 dekabrdagi 04-3/2817-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalarni qo‘llash asosida kremniy asosidagi quyosh elementlarining fotosezgirligini spektral sohasini kengaytirishga erishilgan. Natijada ishlab chiqilgan texnologiya emitter sirt qarshiligini 12÷14 % ga kamaytirish va samaradorligi yuqori (19÷20 %) quyosh batareyalarini ishlab chiqarish uchun qo‘llanilgan.