Nurmatov Ozodbek Ravshanboy o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiya himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya marzusi, ixisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi):
“CdTe:Ag,Cu,Cd va Sb2Se3:Se asosidagi yupqa polikristall pardalarda yangi fotoelektret hodisalar”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi” (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.4.PhD/FM1200
Ilmiy rahbar: Yuldashev Nosirjon Xaydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarligan muassasa nomi: “Farg‘ona politexnika instituti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Mussaeva Malika Anvarovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Abdukadirov Abduvaxit Gapirovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Namangan muhandislik-qurilish instituti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: CdTe:Ag, Cu, Cd va Sb2Se3:Se asosida uzoq vaqt relaksatsiyalanadigan yuqori fotoelektret kuchlanish generatsiyalovchi fotovoltaik yupqa pardalar olish texnologiyasining optimal rejimlarini o‘rnatish hamda ularda yangi fotoelektret hodisalarni aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
birinchi marta CdTe:Ag,Cu,Cd va Sb2Se3:Se asosidagi fotoelektret polikristall yupqa parda tuzilmalarni termik bug‘latish usuli bilan olish texnologiyasi shisha taglik temperaturasi  250-350 oC, boshlang‘ich materialning miqdori 40-50 mg, aralashmalar massasining nisbiy miqdori ~(2÷4,5)‧10-3, P≈10-1-10-2 Pa vakuum sharoitida CdTe va Sb2Se3 bug‘lanish temperaturasi mos holda T1≤933 K va T2≤890 K sharoitlardagi optimal rejimlari ishlab chiqilgan;
CdTe:Ag,Cu,Cd va Sb2Se3:Se polikristall yarim o‘tkazgich yupqa pardalarning fotoelektret xususiyatlarini belgilovchi fizik omillar aniqlanib, bu hususiyatlarni tashqi ta’sirlar bilan boshqarish imkoniyatlari aniqlangan;
CdTe:Ag yupqa pardalarning VFEK, fotoelektret holat, qarshiligi Ryp, termostimullashgan o‘tkazuvchanliklarini temperaturaga bog‘liqligi va fotoelektret holat relaksatsiya chiziqlari, shuningdek VAFK va Iq.t. spektral xarakteristikalarini o‘rganish yordamida fotoelektret holat va aralashmaviy fotoqo‘zg‘atishda fotokuchlanish generatsiyasi uchun mas’ul bo‘lgan chuqur sathlar faollashuv energiyalarining E1=1,04±0,03 eV, E2≈1,17 eV va E3≈1,33±0,05 eV qiymatlari aniqlangan;  
AFV xususiyatli CdTe:Ag, Cu,Cd va Sb2Se3:Se faollashtirilgan yupqa pardalarning aralashmaviy yutilish spektral sohasida fotoelektret kuchlanish generatsiyasi kuzatildi va bu aralashmalar sathining fotoqo‘zg‘alishi natijasida yuzaga kelishi bilan bog‘liqligi VFEK va Iqt spektral xarakteristikalarida tasdiqlangan; 
ilk bor CdTe va Sb₂Se₃ asosiy materiallarning bug‘lanish tezligi kamayishi bilan VFEK va VAFK bo‘yicha fotosezgirlik spektrining maksimumlarini qisqa to‘lqin sohasiga siljishi yupqa parda mikrostrukturasidagi o‘zgarishlar bilan izohlanishi ko‘rsatilgan;
CdTe:Ag, Cu, Cdva Sb2Se3:Se yupqa pardalarning fotoqutblanish jarayonida FEH tufayli yuzaga keladigan qoldiq fotoo‘tkazuvchanlik aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
CdTe:Ag, Cu, Cdva Sb2Se3:Se asosida yupqa pardali polikristall tuzilmalarni olish texnologiyasini ishlab chiqish va fotoelektret xususiyatlarini tadqiq qilish natijalari asosida:
CdTe:Ag, Cu, Cdva Sb2Se3:Se polikristal yupqa pardalarda fotoelektret holatning hosil bo‘lish mexanizmlarini, ulardagi yangi elektrofizik va optik hodisalarni har tomonlama o‘rganish yo‘li bilan olingan ilmiy natijalardan OT-F2-68 raqamli “Kristallarda kirishma-nuqson mikro va nano birikmalar shakllanishining mexanizmlari hamda ularning asosida keng funksional imkoniyatli ko‘pqatlamli strukturalarni yaratish” nomli fundamental loyihani bajarishda  qisman foydalanilgan (loyiha rahbari akademik S. Zaynabidinov, Bobur nomidagi Andijon davlat universiteti, 2024-yil 29-noyabrdagi 04-2671-son ma’lumotnomasi). Ushbu ilmiy natijalardan foydalanish fundamental loyihada o‘rganilgan nanoo‘lchamli yarim o‘tkazgich materiallarning fizik parametrlariga temperatura, bosim va yorug‘lik ta’sirlarini baholash bo‘yicha olingan tajriba ma’lumotlarini nazariy va amaliy jihatdan tahlil qilish imkonini bergan;
CdTe:Ag, Cu, Cdva Sb2Se3:Se polikristall yarim o‘tkazgich yupqa pardalarning fotoelektret xususiyatlarini belgilovchi fizik omillar va bu hususiyatlarni yorug‘lik, elektr maydoni va temperatura kabi tashqi ta’sirlar bilan boshqarish imkoniyatlarini aniqlash natijalaridan Davlat ilmiy dasturlari doirasida 2022-2024 yillarda “Burgut” shifrli (yopiq) amaliy loyihani bajarishda qisman foydalanilgan (Oʻzbekiston Respublikasi Mudofaa vazirligi Axborot-kommunikatsiya texnologiyalari va aloqa harbiy instituti, 2025-yil 9-yanvardagi 56-son  ma’lumotnomasi). Bu esa uchuvchisiz uchish apparatlarida qo‘llaniladigan yupqa parda tuzilmalarini tayyorlash usullarni yaratishga, shuningdek, yangi materialshunoslik va yarim o‘tkazgichli tuzilmalarning optik spektroskopiyasi uchun zarur tadqiqotlarni olib borishga imkon bergan.