Нурматов Озодбек Равшанбой ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертация ҳимояси ҳақида эълон
I.Умумий маълумотлар.
Диссертация марзуси, ихицослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи):
“CдТе:Аг,Cу,Cд ва Сб2Се3:Се асосидаги юпқа поликристалл пардаларда янги фотоелектрет ҳодисалар”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси” (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2024.4.PhD/FM1200
Илмий раҳбар: Юлдашев Носиржон Хайдарович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарлиган муассаса номи: “Фарғона политехника институти”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, PhD.03/27.02.2020.ФМ.106.01.
Расмий оппонентлар: Муссаева Малика Анваровна, физика-математика фанлари доктори, профессор; Абдукадиров Абдувахит Гапирович, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Наманган муҳандислик-қурилиш институти
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: CдТе:Аг, Cу, Cд ва Сб2Се3:Се асосида узоқ вақт релаксацияланадиган юқори фотоелектрет кучланиш генерацияловчи фотоволтаик юпқа пардалар олиш технологиясининг оптимал режимларини ўрнатиш ҳамда уларда янги фотоелектрет ҳодисаларни аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
биринчи марта CдТе:Аг,Cу,Cд ва Сб2Се3:Се асосидаги фотоелектрет поликристалл юпқа парда тузилмаларни термик буғлатиш усули билан олиш технологияси шиша таглик температураси 250-350 оC, бошланғич материалнинг миқдори 40-50 мг, аралашмалар массасининг нисбий миқдори ~(2÷4,5)‧10-3, П≈10-1-10-2 Па вакуум шароитида CдТе ва Сб2Се3 буғланиш температураси мос ҳолда Т1≤933 К ва Т2≤890 К шароитлардаги оптимал режимлари ишлаб чиқилган;
CдТе:Аг,Cу,Cд ва Сб2Се3:Се поликристалл ярим ўтказгич юпқа пардаларнинг фотоелектрет хусусиятларини белгиловчи физик омиллар аниқланиб, бу ҳусусиятларни ташқи таъсирлар билан бошқариш имкониятлари аниқланган;
CдТе:Аг юпқа пардаларнинг ВФЕК, фотоелектрет ҳолат, қаршилиги Рйп, термостимуллашган ўтказувчанликларини температурага боғлиқлиги ва фотоелектрет ҳолат релаксация чизиқлари, шунингдек ВАФК ва Иқ.т. спектрал характеристикаларини ўрганиш ёрдамида фотоелектрет ҳолат ва аралашмавий фотоқўзғатишда фотокучланиш генерацияси учун масъул бўлган чуқур сатҳлар фаоллашув энергияларининг Э1=1,04±0,03 эВ, Э2≈1,17 эВ ва Э3≈1,33±0,05 эВ қийматлари аниқланган;
АФВ хусусиятли CдТе:Аг, Cу,Cд ва Сб2Се3:Се фаоллаштирилган юпқа пардаларнинг аралашмавий ютилиш спектрал соҳасида фотоелектрет кучланиш генерацияси кузатилди ва бу аралашмалар сатҳининг фотоқўзғалиши натижасида юзага келиши билан боғлиқлиги ВФЕК ва Иқт спектрал характеристикаларида тасдиқланган;
илк бор CдТе ва Сб₂Се₃ асосий материалларнинг буғланиш тезлиги камайиши билан ВФЕК ва ВАФК бўйича фотосезгирлик спектрининг максимумларини қисқа тўлқин соҳасига силжиши юпқа парда микроструктурасидаги ўзгаришлар билан изоҳланиши кўрсатилган;
CдТе:Аг, Cу, Cдва Сб2Се3:Се юпқа пардаларнинг фотоқутбланиш жараёнида ФЕҲ туфайли юзага келадиган қолдиқ фотоўтказувчанлик аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
CдТе:Аг, Cу, Cдва Сб2Се3:Се асосида юпқа пардали поликристалл тузилмаларни олиш технологиясини ишлаб чиқиш ва фотоелектрет хусусиятларини тадқиқ қилиш натижалари асосида:
CдТе:Аг, Cу, Cдва Сб2Се3:Се поликристал юпқа пардаларда фотоелектрет ҳолатнинг ҳосил бўлиш механизмларини, улардаги янги электрофизик ва оптик ҳодисаларни ҳар томонлама ўрганиш йўли билан олинган илмий натижалардан ОТ-Ф2-68 рақамли “Кристалларда киришма-нуқсон микро ва нано бирикмалар шаклланишининг механизмлари ҳамда уларнинг асосида кенг функсионал имкониятли кўпқатламли структураларни яратиш” номли фундаментал лойиҳани бажаришда қисман фойдаланилган (лойиҳа раҳбари академик С. Зайнабидинов, Бобур номидаги Андижон давлат университети, 2024-йил 29-ноябрдаги 04-2671-сон маълумотномаси). Ушбу илмий натижалардан фойдаланиш фундаментал лойиҳада ўрганилган наноўлчамли ярим ўтказгич материалларнинг физик параметрларига температура, босим ва ёруғлик таъсирларини баҳолаш бўйича олинган тажриба маълумотларини назарий ва амалий жиҳатдан таҳлил қилиш имконини берган;
CдТе:Аг, Cу, Cдва Сб2Се3:Се поликристалл ярим ўтказгич юпқа пардаларнинг фотоелектрет хусусиятларини белгиловчи физик омиллар ва бу ҳусусиятларни ёруғлик, электр майдони ва температура каби ташқи таъсирлар билан бошқариш имкониятларини аниқлаш натижаларидан Давлат илмий дастурлари доирасида 2022-2024 йилларда “Бургут” шифрли (ёпиқ) амалий лойиҳани бажаришда қисман фойдаланилган (Оʻзбекистон Республикаси Мудофаа вазирлиги Ахборот-коммуникация технологиялари ва алоқа ҳарбий институти, 2025-йил 9-январдаги 56-сон маълумотномаси). Бу эса учувчисиз учиш аппаратларида қўлланиладиган юпқа парда тузилмаларини тайёрлаш усулларни яратишга, шунингдек, янги материалшунослик ва ярим ўтказгичли тузилмаларнинг оптик спектроскопияси учун зарур тадқиқотларни олиб боришга имкон берган.
