Эргашев Равшанбек Назировичнунг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Чуқур аралашма сатхли пCдТе-нCдС ва пCдТе-нCдСе гетеротизимли қуёш элементларининг оптик, электрофизик ва фотоелектрик хусусиятларини тадқиқ қилиш» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2023.1.PhD/Т3489 
Илмий раҳбар: Отажонов Салим Мадраҳимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи Фарғона давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Икрамов Рустам Ғуломжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Қорақолпоқ давлат университети.    
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: пCдТе-нCдС ва нCдТе-пCдСе гетероструктуралари асосидаги қуёш батареяларини яратишда электрофизик, оптик ва фотоелектрик хусусиятларини ўрганиб уларнинг ток ва сигнал қувватини оширишдан иборат. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: илк бор, чуқур аралашма сатҳга эга пCдТе-нCдС ва пCдТе-нCдСе асосидаги гетероструктурали қуёш элементларини ўстириш юқори тенпературали вакуумда буғлатиш йўли билан оптимал технологияси топилган; 
пCдТе-нCдС структурасининг фотосезгирлиги қисқа тўлқинли чегараси hν≤2,3 eV соҳасида фотон энергиясининг кескин ўса бошлаганлиги аниқланган ва пCдТе-нCдСе структураси учун фотон энергиясининг фотосезгирлик қиймати ~(100 mkА)⁄mWт даражада эканлиги кўрсатилган.
ҳарорат ошиши билан гетероструктуранинг максимал фотосезгирлиги кадмий теллуриднинг тақиқланган зона кенглиги ўзгаришига боғлиқ ҳолда ёруғликнинг узун тўлқинлар сохасига силжиганлиги аниқланган.
илк бор, Аг ва Cу нинг юқори ҳароратли диффузион киритилиши натижасида CдТе нинг аралашмали фотоўтказувчанлик мавжудлиги аниқланган, бу эса ёруғлик тўлқин узунлигининг 0,4-3,0 эВ оралиғида фотосезгирликни 2-3 марта ошишига олиб келган;
 кенг бўшлиқли оптик ойна сирт рекомбинацияси тезлигини сезиларли даражада пасайтриш орқали плёнка гетероструктурасининг йиғиш коеффициентини ошишига олиб келганлиги экспериментал равишда кўрсатилган;
илк бор, ҳароратнинг ошиши билан спектрнинг қисқа ва узун тўлқин соҳаларида гетероструктуранинг фотосезгирлиги кучайиб бориши, фаоллашув энергияси E_c-1,15 eV тенг бўлган чуқур аралашмалар сатҳининг мавжудлиги билан кўрсатилган;
ҳаво ифлосланишини аниқлаш учун пCдТе-нCдС ва нCдТе-пCдСе гетероструктураларига асосланган ёруғликнинг кенг диапозонида (0,4-3,0 эВ) ишлайдиган оптик датчиклар ҳамда фотоелектрик модул ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Олинган илмий натижалар асосида пCдТе-нCдС ва пCдТе-нCдСе плёнка гетероструктураларининг электрофизик, оптик, фотоелектрик хоссалари ва ток ўтиш механизмлари бўйича: қуёш энергияси учун ўзгартиргич сифатида пCдТе-нCдС ва пCдТе-нCдСе асосида қуёш батареяларини ишлаб чиқаришнинг оптимал технологияси ОТ-Ф2-71 " Жуда юқори частотали электромагнит майдонда деформацияланган п-н ўтиш жойининг волт-ампер хусусиятларига ёруғлик та'сирини ўрганиш” мавзусида 2017-2020 йилларда Наманган муҳандислик-қурилиш институти физика кафедрасида (Наманган муҳандислик-қурилиш институтининг 26 июн 2024-йилдаги 06/15-сон гувоҳномаси) давлат илмий-техник дастурлари доирасида амалга оширилган. Илмий натижалардан фойдаланиш легирланган кадмий теллурид намуналарининг электрофизик параметрларини барқарорлаштиришга олиб келди ва уларнинг аналоглари кўрсаткичларига мос келадиган қуёш батареяларини ишлаб чиқаришга имкон берди; Аг ва Cу нинг кадмий теллурига термал легирлаш йўли билан киритилиши пCдТе-нCдС ва пCдТе-нCдСе гетероструктураларининг чуқур аралашмали фотоўтказувчанлигига олиб келади, бу фотосезгирликни 2-3 марта оширган ва унинг параметрларини барқарорлаштирган; 
CдТе плёнкаларидаги тўсиқлар юзасида биринчи гуруҳ элементларнинг чуқур аралашма марказларининг мавжудлиги чуқур марказларда жойлашган майдон 0,4-3,0 эВ оралиғида ажралиб чиқадиган асосий бўлмаган заряд ташувчилари концентрациясининг кескин ошишига олиб келади ва бу натижалар “ФОТОН” акциядорлик жамияти ва “Ўзелтехсаноат” акциядорлик жамиятида (Ўзелтехсаноат сертификати 27 июн 2024 йил №123) қуёш энергиясининг яримўтказгичли фотоўзгартиргичларни ишлаб чиқаришда қўлланилди. Олинган натижалардан фойдаланиш қуёш энергияси ва бошқа электрон қурилмаларнинг фотоўзгартиргичларни ишлаб чиқариш ва уларнинг электрофизик ва оптик параметрларини яхшилаш имконини берган.