G‘ulomov Baxtiyorjon Dilmurodjon o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Zol-gel cho‘ktirish usulida o‘stirilgan ZnO:Al plyonkalarining tuzilmaviy, optik va elektrofizik xossalarini tadqiq qilish» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2024.4.PhD/FM1205
Ilmiy rahbar: Zaynabidinov Sirajidin Zaynabidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti va Andijon mashinasozlik instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Gulyamov Gafur, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: ilmiy amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: takomillashtirilgan Zol-gel cho‘ktirish usuli yordamida o‘stirilgan yarimo‘tkazgichli ZnO yupqa plyonkalarining tuzilmaviy, morfologik, elektrofizik va optik xususiyatlariga Al kirishma atomlarining ta’sirini tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: ilk bora Zol-gel usulining takomillashtirilgan cho‘ktirish qurilmasi yordamida 1% dan 5% gacha Al atomlari bilan legirlangan yarimo‘tkazgichli ZnO qatlamlari o‘stirilgan va eng maqbul texnologik shart-sharoitlar: cho‘ktirish tezligi (1 mm/s), issiqlik ishlov harorati (500°C) va  vaqti (10 daqiqa) aniqlangan;
o‘stirilgan yarimo‘tkazgichli ZnO plyonkalarining sirti (002) kristallografik yoʻnalishga mansubligi va C6/mmc fazoviy guruhga tegishli panjara doimiylari a = b = 0.3265 nm va c = 0.5212 nmga teng vyursit tuzilishli geksogonal kristall panjaraga ega ekanligi rentgenodifraksion usul yoramida aniqlangan; 
    ZnO plyonkalariga 1% dan 5% gacha Al atomlari kiritilganda, uning elementar katagidagi “c” o‘qi 0,0009 nm ga ortgani, shuningdek, sirt sohalarda ZnO va Al atomlarining o‘zaro birikishi natijasida panjara doimiysi a = 0,5791 nm bo‘lgan, Fd3m fazoviy guruhiga mansub kub elementar katakchalardan tashkil topgan nanokristallitlar hosil bo‘lishi morfologik tadqiqotlar natijalari asosida aniqlangan;
    elektrofizik tadqiqot natijalari yordamida ZnO plyonkalariga 1% Al atomlari kiritilganda zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi 2,3∙10¹⁸ sm⁻³ gacha ortishi, biroq Al atomlari miqdori 5% gacha oshirilganda bu ko‘rsatkich 2,9∙10¹⁷ sm⁻³  gacha kamayishi aniqlangan;
yarimo‘tkazgichli ZnO plyonkalarida Al atomlari miqdori 1% dan 5% gacha  oshishi bilan taqiqlangan energetik soha kengligi 3.243 dan 3.318 eV gacha ortishi, mazkur tuzilmalar uchun optik yutilish koeffisientini qayta hisoblash usuli orqali aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Takomillashtirilgan Zol-gel cho‘ktirish usuli yordamida o‘stirilgan ZnO yupqa plyonkalarining tuzilmaviy, morfologik, elektrofizik va optik xususiyatlariga Al kirishma atomlarining ta’sirini tadqiq qilish bo‘yicha olingan ilmiy-amaliy natijalar asosida:
tadqiqot natijasida olingan xulosalar, ya’ni 1% dan 5% gacha Al atomlari bilan legirlangan ZnO yupqa plyonkalari geksagonal kristall panjarasining “c” o‘qi 0,0009 nm ga ortishi, rentgenogrammada (002) kristallografik orientasiyasidagi tuzilmaviy cho‘qqining kichik burchaklar tomon 0,12° ga siljishi, shuningdek, plyonkalar yuzasida ZnO va Al atomlari birikishi natijasida panjara doimiysi a = 0,5791 nm bo‘lgan va Fd3m fazaviy guruhga mansub kub elementar katakchalardan iborat konussimon shakldagi nanokristallitlarning hosil bo‘lishi haqidagi ilmiy natijalar fizika-matematika fanlari doktori, professor Sh.X. Yo‘lchievning “Yarimo‘tkazgichlarda atomlar diffuziyasi” nomli o‘quv qo‘llanmada foydalanilgan (Andijon davlat pedagogika institutining 2024-yil 7-dekabrdagi 04-334-son ma’lumotnomasi). Ushbu ilmiy natijalardan foydalanish ZnO plyonkalarida turli sohalarda yuzaga kelayotgan hajmiy nuqsonlarni kamaytirish imkonini bergan;
1% Al atomlari bilan legirlangan ZnO qatlamlarida zaryad tashuvchilar konsentrasiyasining 2,3∙10¹⁸ sm⁻³ gacha ortishi, Al miqdori 5% gacha oshirilganda esa ularning konsentrasiyasining 2,9∙10¹⁷ sm⁻³ gacha kamayishi, shuningdek, bunday holatda harakatchanlikning avval 1.81 sm/V∙s gacha pasayishi, keyin esa 8.23 sm/V∙s gacha ortishi kabi ilmiy-amaliy natijalar “FOTON” AJda ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalarni tayyorlashda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2024-yil 16-sentyabrdagi 156-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalardan foydalanish tajribaviy namunalarda elektron texnika vositalarini tayyorlash va ularning optik xossalarini yaxshilash imkonini bergan.