Муйдинова Мадина Алишеровнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний ва кремний асосидаги p-n структураларнинг фотоэлектрик хусусиятларини тадқиқ қилиш», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси  (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2021.1.PhD/FM82.
Илмий раҳбар: Насриддинов Сайфилло Саидович, техника фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12.
Расмий оппонентлар: Аюханов Рашид Ахметович, физика-математика фанлари доктори; Қучкаров Қудратулла Мамарасулович, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: кремний ва кремний асосидаги p n  структураларнинг фотоэлектрик хусусиятларини аниқлаш ҳамда кремний сиртининг оптик хусусиятларини оптималлаштиришдан иборат. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор икки муҳит бўлиниш чегарасидан  ёруғлик нурининг энг самарали ўтиши учун  TiO2, SiNx , SiO2 ва MgF2 лардан иборат кўпқатламли кремний асосидаги фотоэлектрик қурилмаларнинг оптимал кетма-кетлик тартиби ва қалинликлари аниқланган;
нур қайтишига қарши қатламлардан фойдаланиш TiO2 асосидаги фотоэлектрик қурилмаларнинг ток йиғувчи электродлар майдонини 20% гача камайишига олиб келиши аниқланган;
текстураланган сиртга эга бўлган кремнийнинг оптик характеристика-ларини компьютерда моделлаштириш орқали текстураларнинг геометрик шакли ва ўлчамлари аниқланган;
вертикал ориентацияланган гетероўтишли “Si/ZnO” структурага эга бўлган фотоэлектрик қурилмаларнинг янги конструкция ишлаб чиқилган;
кремний сиртининг оптик хусусиятларини аниқлашда “PVlighthouse” дастурий тизими ва ундан фойдаланиш методикаси ҳамда "VisualBasic” дастурий тизимига таянган ҳолда ЭҲМ учун янги дастурий таъминот яратилган;
наноўлчамли структураларга эга кремний асосидаги р-п-ўтишли элементларнинг фронтал сиртини SiO2 ва SiNx оптик материаллар билан қоплаш услуби яратилган;
кремний ва кремний асосидаги р-п-структурали фотоэлектрик қурилмалар томонидан нурланишни самарали ютиш учун ёруғликни қайтишига қарши қўлланиладиган текстураларнинг параметрларини аниқлашга имкон берувчи «Кремнийли қуёш элементларида тўғри пирамидали текстура ҳосил қилишнинг геометрик асослари» номли янги ЭҲМ дастурий маҳсулот яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Кремний ва кремний асосидаги p n структураларнинг фотоэлектрик хусусиятларини аниқлаш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
кремний сиртининг оптик хусусиятларидан №Атех-2018-47 «Дерматология клиник амалиётида қўллаш учун лазер технологиялари ва УБ-ёруғлик манбалари асосидаги фототерапевтик қурилманинг янги авлодини ишлаб чиқиш» лойиҳасида “PVlighthouse” дастурий тизими ва ундан фойдаланиш методикасидан ҳамда "VisualBasic” дастурий тизимига таянган ҳолда ЭҲМ учун яратилган янги дастурий таъминотдан фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2021 йил 10 февралдаги 2/1255-410-сон маълумотномаси). Натижада яратилаётган лазер асосидаги фототерапевтик қурилма параметрларини яхшилаш ва терини турли оптик хусусиятларини юқори аниқлиқда ўлчаш имконини берган; 
наноўлчамли структураларга эга кремний асосидаги р-п-ўтишли элементларнинг фронтал сиртини SiO2 ва SiNx оптик материаллар билан қоплаш услубидан №ОТ-Ф2-68 «Кристалларда киришма-нуқсон турдаги микро- ва нанобирикмаларини ҳосил бўлиш механизмлари ва уларнинг кенг функционал имкониятли кўпқатламли тузилмалар яратишдаги ўрни» мавзусидаги лойиҳада наноўлчамли структураларга эга кремний асосидаги р-п-ўтишли элементларнинг фронтал сиртини SiO2 ва SiNx оптик материаллар билан қоплаш мақсадида фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 18 августдаги №89-03-2859-сон маълумотномаси). Натижада, уларнинг фотоэлектрик сезгирлигини 1,28 – 1,33 марта ошириш имконини берган.

 

Янгиликларга обуна бўлиш