Асатова Умида Палвановнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Тор зонали Gе1-хSnх, (InSb)1-х(Sn2)х қаттиқ қоришмалари ва уларнинг фотоэлектрик хоссалари», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.2.PhD/FM143.
Илмий раҳбар: Усмонов Шукрулло Негматович, физика-математик фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассасалар номи: Урганч давлат университети ва Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12.
Расмий оппонентлар: Шарибаев Носир Юсупжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Тургунов Нозимжон  Абдуманнопович, физика-математика фанлари доктори, доцент. 
Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Ge1-хSnх  (0  х  0.03) ва (InSb)1-х(Sn2)х  (0 х  0.05) қаттиқ қоришмалар ва улар асосидаги p-n гетероструктураларнинг структуравий, электрофизик ва фотоэлектрик хусусиятларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
мукаммал монокристалл структурага эга, панжара доимийси 5.6812 Å бўлган ва (111) ориентацияли Ge1-хSnх (0 ≤ х ≤ 0.03) қаттиқ қоришмаларни 740÷450С ҳарорат оралиғида ва 1 град/мин совитиш тезлигида суюқ фазадан ўстиришнинг технологик режими ишлаб чиқилган;
илк бор индий антимониднинг бинар бирикмаси индийда 250÷325С ҳарорат интервалида эритилганда InSb молекуласи шаклида бўлиши аниқланган;
илк бор Ge1-хSnх (0 ≤ х ≤ 0.03) эпитаксиал қатлам юзасида диаметри 100÷400 нм ва баландлиги эса 5÷20 нм бўлган алоҳида нанокристаллитлар ҳосил бўлиши аниқланган;
Sn атомлари таъсирида n-Ge–p - Ge1-хSnх (0 ≤ х ≤ 0.03) структуранинг фотосезгирлик чегараси германийли электрон-ковак ўтишга нисбатан 0.27 эВ га нурланиш спектрининг узун тўлқинли соҳасига силжиши ва нурланиш спектрининг 0.4 эВ фотонлар энергиясидан бошланиши аниқланган;
(InSb)0.95(Sn2)0.05 қаттиқ қоришманинг кристалл панжараси тугунларида Sn атомлари жойлашиши сабабли, унинг тақиқланган зонаси кенглиги InSb бинар бирикманинг тақиқланган зонаси кенглигидан 0.07 эВ га кичик бўлиши ва 0.11 эВ ни ташкил қилиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ge1-хSnх (0х0.03), (InSb)1-х(Sn2)х(0≤х≤0.05) қаттиқ қоришмаларнинг структуравий, электрофизик, фотоэлектрик хусусиятлари ва улар асосидаги p-n гетероструктураларда ток ўтиш механизмлари бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
суюқ фазали эпитаксия усули билан (111) йўналишли, панжара доимийси 5.6812 Å, Ge таглик ва қаттиқ қоришма панжара доимийлари орасидаги номувофиқлик 0.0044 бўлган Ge1-хSnх қаттиқ қоришманинг мукаммал монокристалларини 740÷450С ҳарорат оралиғида, 1 град/мин совитиш тезлигида ўстириш усулидан, шунингдек, Sn атомлари туфайли n-Ge–p-Ge1-хSnх (0≤х ≤ 0.03) гетероструктура фотосезгирлигини германийли электрон-ковак ўтишларникига нисбатан нурланиш спектрининг узун тўлқин соҳаси томон 0.27 эВ га силжишидан «FOTON» акционерлик жамиятида гетеро электрон-ковак ўтишлар ва яримўтказгичли пластиналар олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акционерлик жамиятининг 2020 йил 11 мартдаги 04-1/680-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш электрофизик параметрлари инфрақизил фотоприёмниклар аналоглари даражасидаги тажрибавий намуналарни тайёрлаш имконини берган;
инфрақизил нурланиш фотодатчиклари ва тепловизорлар ишлаб чиқаришда GaAs, Ge и GаP тагликларга ўстирилган (InSb)1-х(Sn2)х (0 ≤ х ≤ 0.05) қаттиқ қоришмаларни қўллаш бўйича тавсиялар Italia Syntes Alloys компанияси заводида инфрақизил нурланишнинг ўрта диапазони учун фотоэлектрик ўзгарткичларни ишлаб чиқаришнинг технологик жараёнида фойдаланилган (Italia Syntesalloys S.p.A Codice Fiscale-Partita Iva 02494460021-Numero REA BI-192088, Biella, 2021 йил 28 январдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш 8÷11 мкм тўлқин узунликдаги инфрақизил нурланишнинг самарадор фотодатчикларини ишлаб чиқариш имконини берган.

 

Янгиликларга обуна бўлиш