OAK sayti » Himoya haqida e'lonlar » Далиев Шахрух Хожакбаровичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
 
11 okt 2017

Далиев Шахрух Хожакбаровичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

Далиев Шахрух Хожакбаровичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

 

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремнийли структураларнинг электрофизик хусусиятларига Zr, Ti  ва Hf  киришмаларининг таъсири», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.2.PhD/FM33.

Илмий раҳбар: Мамадалимов Абдугафур Тишабаевич, физика-математика фанлари доктори, академик.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Расмий оппонентлар: Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори; Зикриллаев Нурулла Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Наманган давлат университети.

Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: сиғимли спектроскопия ёрдамида қийин эрувчи  Zr, Ti ва Hf атомлари билан легирланган кремнийнинг электрофизик хоссалари ва ушбу элементлар атомларининг  кремний таркибидаги аралашмалар билан ўзаро таъсирини ҳамда кремний асосидаги металл-диэлектрик-яримўтказгич структураларнинг хоссаларига таъсирини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

кремнийда Zr, Ti, ва Hf атомлари сатҳларининг ҳосил бўлиш самарадорлиги технологик режимга (ҳарорат ва диффузия вақти, шунингдек, намуналарнинг диффузиядан кейинги совутиш тезлиги) боғлиқлиги аниқланган;

қийин эрувчи элементлар киришмалари билан ўстириш жараёнида легирланган кремнийда чуқур сатҳлар ҳосил бўлмаслиги, лекин 1000÷1250оС даража оралиғидаги ҳароратли қайта ишлов натижасида Zr, Ti, ва Hf атомларининг фаоллашуви ва чуқур сатҳларнинг ҳосил бўлиши кўрсатилган;

қийин эрувчи элементлар киришмаларининг диффузион киритиш жараёнида термик ва радиацион нуқсонларнинг камайиши ва кремний параметрларининг барқарорлашуви исботланган;

Si панжарасида ноёб ер элементлари (лантан ёки гольмий) аралашмаларининг мавжудлиги  қўшимча киритилган Zr, Ti ва Hf билан боғлиқ чуқур сатҳлар ҳосил бўлиши кўрсатилган;

металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) структураларнинг кремнийли таглиги ҳажмидаги Zr, Ti, ва Hf киришма таъсирида юқори частотали Вольт-Фарад характеристикасининг назорат намуналарига нисбатан манфий томонга силжиши, МДЯ-структуралар юза ҳолатлари зичлигининг ортиши ва Si-SiO2 бўлиниш чегарасида мусбат ишорали зарядлар ҳосил бўлиши аниқланган;

қийин эрувчи элементлар киришмалари таъсирида МДЯ-структурали кремний яримўтказгичининг тақиқ соҳаси кенглиги бўйича юзавий ҳолатлар зичлигининг тақсимотини ўзгариши асосланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:

Қийин эрувчи элемент атомлари билан легирланган кремний ва кремнийли структураларда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларини ўрганиш асосида:

силицид титан-кремний тизими асосидаги ишчи соҳаси билан модифицирланган структурани ҳосил қилиш усули «FOТON» акционерлик жамиятида диод структурларига омик контакт олишда фойдаланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 25 сентябрдаги 02-1953-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши кремний асосидаги диод структураларига кичик кетма-кет қаршиликли контакт соҳаларини олиш имконини берган;

кремнийли МДЯ-структуралари ҳажмини ва юзавий қатламларини қийин эрувчи элементлар (Zr, Ti, ва Hf) киришмалари билан легирлаш технологияси ёрдамида олинган натижалар ФА-Ф3-Ф003 рақамли «Компенсирланган кремний датчиги асосида озиқ-овқат сақланадиган омбор температурасини ва намлигини узоқ масофадан назорат қилиб турадиган қурилмани яратиш» ва А-3-57 рақамли «Наностуктурали кремний датчик асосида турли хил объектларда ҳарорат ва намликни назорат килувчи микропроцессорли асбобни ишлаб чиқиш» мавзусидаги лойиҳаларда ҳарорат ва намликни назорат қилувчи қурилма яратишда ишлатилган (Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 20 сентябрдаги ФТА-01-02/691-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш компенсирланган кремний асосидаги датчиклар параметрларининг иссиқликка бардошлилигини ошириш имконини берган.