OAK sayti » Himoya haqida e'lonlar » Мавлянов Абдулазиз Шавкатовичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
 
02 fev 2018

Мавлянов Абдулазиз Шавкатовичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

Мавлянов Абдулазиз Шавкатовичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

 

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Киришма атомлари кластерларига эга бўлган кремний хоссаларини тадқиқ этиш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.PhD/ FM37.

Илмий раҳбар: Илиев Холмурат Маджитович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Расмий оппонентлар: Рахматов Ахмад Зайнидинович, техника фанлари доктори; Матчанов Нуриддин Азатович, физика-математика фанлари номзоди.

Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.

Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: Si2Мn2S (кремний икки-марганец икки-олтингугурт)ячейкасига эга бўлган кластер структура параметрларини сонли ҳиособлаш ва Мn ҳамда S билан легирланган монокристалл кремнийнинг фотоэлектрик хусусийятларини тадқиқ этишдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

юқори ҳароратда олтингугурт билан легирланган юзасида емирилиш тўлиқ йўқотилган кремний монокристал намуналари олинган;

S га эга бўлган монокристалл кремний намунасида ионизация сатҳлари, фотоўтказувчанликни инфрақизил сўндириш (ФЎИҚС) ва тўғри уланган ҳолатда манфий фотоўтказувчанлик аниқланган;

Mn ва S билан легирланган КДБ-1да Т=123K ва Т=198K ҳароратларда олтингугурт ҳамда марганец билан боғлиқ бўлган чуқур сатҳларининг қайта зарядланиши билан боғлиқ заряд ташувчилари ишорасининг ўзгариш эффекти топилган;

Mn ва S га эга бўлган монокристалл кремний намунасидаги қисқа туташув токи зичлиги ва салт кучланишининг қийматларида ИҚ-ташкил қилувчининг ҳам салмоқли ҳиссаси мавжуд бўлиши аниқланган;

Si2Мn2S  ячейкаларга эга бўлган структуранинг тўлиқ энергияси, инфрақизил тебранма ва электрон спектрлари ҳамда электронларнинг жойлашув тартиби ҳисоблаб чиқилган;

Si2Мn2S ячейкаларга эга бўлган кластерли структуранинг тебранишлар моддаси, тақиқланган зонаси тирқиш ўлчамининг қиймати Mn ва S билан легирланган намуналарнинг тебраниш спектри ва фотоўтказувчанлиги бўйича олинган тажрибавий қийматлари билан етарлича мос келиши аниқланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

Si2Мn2S ячейкасига эга бўлган структура параметрларини сонли ҳисоблаш ва Мn ҳамда S билан легирланган монокристалл кремнийнинг фотоэлектрик параметрларининг хусусийлигини очиш асосида:

кремнийни II ва VI группа элементлари билан лигерлаш режимлари «Trasporte Mono-y Bipolar en Estructuras Semiconductors»  мавзусидаги Мексика инновациялар марказининг лойиҳасини бажаришда коррозиясиз яримўтказгичли структуралар олишда қўлланилган (Мексика инновациялар марказининг 2017 йил 5 декабрдаги маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши яримўтказгичли нанокластерли фотосезгир структураларнинг спектрал диапазонини кенгайтириш имконини берган;

кремнийни бир нечта босқичда ҳароратни аста секин ошириш йўли билан емиришсиз диффузили легирлашнинг технологик жараёнлари «FOTON» акциядорлик жамиятида яримўтказгичли асбоблар ишлаб чиқишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг2017 йил 6 октябрдаги 02-2075-сон маълумотномаси). Илмий натижадан фойдаланиш яримўтказгичли асбобларнинг юзасини емиришсиз ҳолатда тенг тақсимланган легирлашни таъминлашга имкон берган;

кўп босқичли паст ҳароратда диффузия ўтказгандан сўнг намунани тезда совутиш йўли билан киришма атомларни кремний монокристаллида тегишли чуқурликда p-n-ўтишли диод структура ҳосил қилиш усулидан ЁА-ФА-Ф004-рақамли «Катта диаметрли монокристалл кремний асосида икки координатали сезгир детекторни шакллантириш ва тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш»  мавзусидаги лойиҳани бажариш жараёнида фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 4 декабрдаги ФТА-02-11/1247-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кремнийда диффузия чуқурлигини бир хиллигини таъминлашга имкон берган.