OAK sayti » Himoya haqida e'lonlar » Сапаев Иброхим Байрамдурдиевичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
 
26 yan 2018

Сапаев Иброхим Байрамдурдиевичнинг фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

Сапаев Иброхим Байрамдурдиевичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

 

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кадмий сульфид ва кремний ораси гетероўтишлар асосидаги инжекцион фотодиодларда электрон жараёнлар», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.1.PhD/FM38.

Илмий раҳбар: Мирсагатов Шавкат Акрамович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика-техника институти.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01 рақамли бир марталик илмий кенгаш.

Расмий оппонентлар: Абдурахманов Каххор Паттахович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори.

Етакчи ташкилот: Наманган давлат университети.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: n+CdS–nCdS–pSi ва n+CdS–nCdS–nSi-гетеротузилмалари асосидаги инжекцияли фотодиодларнинг ток ташиш механизмларини ҳамда уларнинг динамик ва статистик характеристикаларини изоҳлайдиган электрон жараёнларни аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

квазиёпиқ вакуум тизимида CdS кукунини пуркаш йўли билан илк бор кремний тагликда CdS юпқа қатламлари олиниб, улар асосида ички кучайтиришга ва созланувчи спектрал сезгирлик диапазонига эга бўлган инжекциялик фотоқабулгич сифатида ишлайдиган n+CdS–nCdS–pSi- ва n+CdS–nCdS–nSi-гетеротузилмалар тайёрлаш технолгияси ишлаб чиқилган;

n+CdS – nCdS – pSi-гетеротузилма 389–1238 nm тўлқин узунликлар оралиғида жойлашган кенг қамровли спектрал сезгирлик диапазонида “чўққиси” 475 nm тўлқин узунликда ётган битта катта ва мос равишда 618 nm, 740 nm ва 821,8 nm тўлқин узунликларда ётган  учта кичик “чўққи”лар киришмаларнинг ҳар хил сатҳларга эгалиги тасдиқланган;

термодинамик мувозанат ҳолатида nCdS–pSi-гетероўтиш чегарасида сирт потенциалининг қиймати ψs= 0,04 eV га тенг бўлган акцептор типидаги манфий зарядланган сирт ҳолатлари ҳосил бўлиши, сирт потенциали ψS манфий қутбли бўлганда, сирт ҳолатлари зичлиги (NSS) катта  қийматларга ψS мусбат бўлганда эса кичик қийматлар қабул қилиши асосланган;

тўғри йўналишдаги кучланишнинг ортиши билан pSi-тагликдан база соҳасига электронлар инжекциясининг ортиши фототокнинг ортишига ва спектрал диапазонининг қисқа тўлқин томонига кенгайиши ток ташувчиларнинг йиғилиш коэффициенти ортиши билан боғлиқлиги исботланган;

373Кга қиздирилган nCdS–pSi ва nCdS–nSi-гетеротузилмалар юзасига индийни вакуумда термикпуркаш ва кейинчалик 673К ҳароратда 30 сек. давомида термик ишлов бериш йўли билан nCdS юпқа қатлами устида кучли легирланган юпқа n+CdS қатламни шакллантириш ва  контакт олишнинг режимлари оптималлаштирилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

n+CdS–nCdS–pSi ва n+CdS–nCdS–nSi-гетеротузилмалари асосидаги инжекцияли фотодиодларнинг ток ташиш механизмлари ҳамда уларнинг динамик ва статистик характеристикаларини изоҳлайдиган электрон жараёнларни аниқлаш натижалари асосида:

юпқа қатлам юзасига контакт олишнинг технологик режимлари Т15МН-001рақамли «Қопланган тиббиёт асбобларига металлоценлар ва фуллерид металларнинг физик ва антибактериал хусусиятларини тадқиқ қилиш ва медицина асбобларида қўллаш имкониятларини аниқлаш» (2015–2017йй.) халқаро лойиҳасида юпқа қатламли намуналарга омик контакт олишда қўлланилган (Беларусь Миллий академияси Иссиқлик ва масса алмашинув институтининг 2017 йил 11 октябрдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш нанотузилмали намуналарга контакт олиш ва намуналарнинг ток характеристикаларининг физик хусусиятларини тадқиқ қилиш имконини берган;

кадмий сульфидига вакуумда магнетрон пуркаш йўли билан контакт олиш усули Ф2-ФА-Ф161-рақамли «Эркин юпқа қатламлар (Al, Cu, Ag, ва Cu-Si) ва ҳажмий кристаллар (W, WOn, TiN, CdTe и SiO2) юзасида ион имплантацияси усули билан наноўлчамли  гетеротузилмаларнинг шаклланиш механизмларини ва физик-кимёвий хусусиятларини ўрганиш» (2012–2016 йй.)  гранг лойиҳасида наноқатламлар устида омик қаршилиги кичик бўлган контактлар олишда қўлланилган (Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 21 ноябрдаги ФТА-02-11/1150-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш эркин юпқа қатламлардан қайтган ва улар орқали ўтган электронлар энергия йўқотиш характеристик спектрларининг дисперсиясини аниқлаш имконини берган.